판매용 중고 GASONICS / NOVELLUS Aura 2000 #9247828

ID: 9247828
웨이퍼 크기: 8"
Asher, 8" Model no: 99-0339 Install type: Tabletop Machine runtime: 11,028 Hours Filament runtime: 16,005 Hours Wafer passes: 7132 Includes: AURA 2000LL PR Strip BOC EDWARDS NGH425100 Main chamber pump BOC EDWARDS iQDP40 LL Pump Microwave generator: NATIONAL ELECTRONICS A95-045-01-E Position: Main chamber Gas line / Gas / MFC Make / MFC Model 1 / O2 / HONEYWELL / MIDAS-E-LEL 2 / N2H2 / HONEYWELL / MIDAS-E-LEL.
GASONICS/NOVELLUS Aura 2000은 photolithography, semiconductor device manufacturing 및 wafer level packaging과 같은 다양한 응용 분야에 사용되는 etcher/asher입니다. 에치 프로세스 (etch process) 에서 깨끗한 사이드월을 유지하면서 작은 피쳐 크기로 구조를 정확하게 에치하도록 설계되었습니다. 에칭 공정은 진공 챔버 (vacuum chamber) 에서 이루어지며, 주변 공기의 보호 담요가 필요하지 않은 저온 공정에 이상적입니다. GASONICS Aura 2000은 다양한 기술을 사용하여 원하는 최종 결과를 달성합니다. 여기에는 레이저 유도 플라즈마 에치 프로세스, PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 프로세스, 이온 빔 에칭 및 다양한 다운 스트림 처리가 포함됩니다. 레이저 유도 플라즈마 에치 공정은 레이저 빔 (laser beam) 과 비활성 가스 플라즈마 (inert gas plasma) 를 사용하여 정확한 에치 패턴을 만듭니다. 가장자리가 거칠지 않고, 복잡한 기능에 적합한 선명하고 깨끗한 선을 생성합니다. PECVD 공정은 진공 환경에서 실리콘 산화물 및 기타 물질의 저온 증착을 허용합니다. 이 프로세스는 기존 기술로는 불가능한 어려운 구조를 만드는 데 이상적입니다. 이온 빔 에칭 (ion beam etching) 은 과정에서 이온의 에너지, 방향 및 속도를 제어하여 에치 프로세스를 세밀하게 조정하는 데 사용됩니다. 특히 HAR (High Aspect Ratio) 및 Submicron 구조에 효과적입니다. 마지막으로 NOVELLUS Aura 2000에는 다양한 다운 스트림 프로세스 솔루션이 제공됩니다. 여기에는 에치 후 청소, 사이드월 수동화, 필름 최적화 및 재료 분석이 포함됩니다. 따라서 에칭 (etching) 프로세스를 빠르고 정확하게 제어하여 완벽한 결과를 얻을 수 있습니다. 요약하면, 오라 2000 (Aura 2000) 은 작은 피쳐 크기에서 정확하고 깨끗한 에치 패턴을 생산하도록 설계된 강력한 에칭 앤 애싱 머신 (etching and ashing machine) 입니다. 레이저 유도 플라즈마 에치, PECVD 프로세스 및 이온 빔 에칭 (ion beam etching) 과 온보드 다운 스트림 프로세싱의 조합을 사용하여 완벽한 결과를 생성합니다.
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