판매용 중고 TEL / TOKYO ELECTRON Mark V #9130774

TEL/TOKYO ELECTRON Mark V Photoresist 장비는 넓은 영역에 걸쳐 정확하고 효율적인 미세 구조를 제공하기 위해 설계된 고급 photolithography 솔루션입니다. 이 시스템은 레이저 빔 직접 리소그래피 (LBDL) 와 기존 포토 리토 그래피 (photolithography) 기술과 나노 미터 수준에서 성공적인 패턴 형성을 위한 고급 패턴 기술 (patterning technology) 을 결합합니다. TEL Mark V 장치는 기존의 photolithography 프로세스로 개발하기 어려운 3 차원 구조를 만들 수 있습니다. TOKYO ELECTRON MARK-V 기계는 최대 쓰기 속도가 5m/s 이고 최대 반복 정확도가 3nm 인 레이저 생성 장치 인 KRS-U1100DL을 사용합니다. 이 장치 는 "레이저 '광선 을" 패턴' 형성 장치 에 공급 하고 그 "패턴 '정보 를 내부 기억 장치 에 저장 하고" 패턴' 정보 를 기판 에 재생 시킨다. 기판에 적용 된 레이저 빔은 현미경 도구에 의해 다양한 미세 구조로 초점을 맞추고 있습니다. 또한, 내장 라이브러리를 사용하면 포토 세스트, 오버레이 색상 패턴 및 어레이, 웨이퍼 둘레 식별 및 인/아웃 접점을 통한 다양한 마이크로 패턴 및 구조를 개발할 수 있습니다. KRS-U1100DL을 사용하여 TOKYO ELECTRON Mark V 자산은 최소 필드 기능 크기가 50nm이며, 레지스트 코팅 기판에 고주파, 짧은 노출 시간 레이저를 적용하여 작동합니다. 이 레이저는 다른 포토리토그래피 (photolithography) 시스템보다 훨씬 더 깊은 수준의 재료를 에치 할 수 있으며, 기존의 리소그래피 머신 (lithography machine) 의 기능을 능가하는 3 차원 구조를 개발할 수 있습니다. 이 모델은 또한 고급 저항 처리 장비 (Advanced Resist Processing Equipment) 를 갖추고 있으며, 전체 기판에 걸쳐 극도로 균일하고 얇은 저항 필름을 형성 할 수 있습니다. 이는 정확하고 반복 가능한 패턴 형성을 보장하며, 모든 미세 구조에 고품질 마무리를 제공합니다. 전반적으로 TEL이 개발 한 TEL MARK-V Photoresist는 신뢰할 수 있고 포괄적 인 사진 분석 솔루션입니다. 나노 미터 (nanometer) 수준에서 3 차원 구조의 성공적인 생산과 고품질 결과를 위한 통합 저항 처리 시스템 (Integrated Resist Processing System) 을 가능하게하는 혁신적인 패턴 형성 기술이 특징입니다. 이 단위는 다양한 응용 분야를 위해 기판에 정밀 패턴 (precision pattern) 형성이 필요한 사람들에게 이상적입니다.