중고 포토레지스트 판매용
Photoresist는 반도체 제조 산업에서 사용되는 주요 재료입니다. 집적 회로 (IC) 를 제조하는 동안 반도체 웨이퍼에 복잡한 패턴을 만드는 데 사용되는 포토 리토 그래피 (photolithography) 과정에서 중요한 역할을합니다. 포토 레 시스트 (Photoresist) 는 빛에 노출되면 화학적 변화를 겪는 감광 물질입니다. 일반적으로 PAC (photoactive compounds) 또는 PAG (photoacid generator) 라고하는 감광 화합물과 혼합 된 폴리머 매트릭스로 구성됩니다. 이러한 PAC 또는 PAG는 특정 파장의 빛에 노출 될 때 저항의 용해도 (resist's solubility) 의 변화를 담당한다. photolithography 프로세스 동안, 얇은 photoresist 층이 웨이퍼 표면에 회전합니다. 저항은 처음에 액체 상태이며, 부드럽고 균일 한 필름을 형성하기 위해 흐릅니다. 다음으로, 웨이퍼는 photomask를 통해 자외선 (UV) 에 노출되며, 여기에는 원하는 패턴이 포함됩니다. 빛은 저항의 광활성 화합물이 산 또는 다른 반응성 종을 생성하게 만듭니다. 이 산은 저항의 용해도를 변화시키는 화학 반응을 촉매한다. 노출 후, 웨이퍼 (wafer) 는 개발 단계를 거치며, 빛에 노출 된 포토 esist의 일부가 개발 된 용액에 용해되어 원하는 패턴을 남긴다. 나머지 저항은 후속 에칭 (etching) 또는 이온 이식 (implantation) 프로세스 동안 보호 계층 역할을하며, 패턴을 기본 물질로 전달합니다. 해상도 (resolution), 선 모서리 거칠기 (line edge roughness), 빛에 대한 민감도 (sensitivity to light) 를 포함한 포토리스 연주자의 성능은 제작 된 IC의 전반적인 품질과 수율에 중요합니다. 연구개발 (R&D) 은 반도체 업계의 갈수록 늘어나는 요구를 충족시키기 위해 이러한 속성을 개선하는 데 주력하고 있다.
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