판매용 중고 LANDIS 3L2 #293827530
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ID: 293827530
빈티지: 2005
Grinding machine
6400 CNC Control system
(2) Heads
Angle: 90°
Rotary sharpener
Air pressure: 5 Bar
Diameter: 355 mm
Power supply: 400 V, 50 Hz, 75 kW
2005 vintage.
LANDIS 3L2는 정밀 반도체 제조 공정을 위해 설계된 고급 웨이퍼 그라인딩, 랩핑 및 연마 장비입니다. 이 최첨단 시스템은 여러 기능을 통합하여 웨이퍼 처리 (wafer processing) 에 탁월한 결과를 제공하므로 반도체 장치의 고품질 출력을 보장합니다. 3L2 의 웨이퍼 그라인딩 (wafer grinding) 기능은 웨이퍼 표면에서 정확한 두께 제어 및 평평함을 달성하도록 설계되었습니다. 정교한 제어 시스템 (Control System) 과 정밀 연삭 도구 (Precision Grinding Tools) 를 사용하면 웨이퍼 서피스에서 탁월한 정확성과 균일성으로 재료를 제거 할 수 있습니다. 이 기능은 반도체 제조에 중요합니다. 여기서 웨이퍼 두께의 미세한 변형은 장치 성능 및 수익률에 큰 영향을 미칠 수 있습니다. 랜디스 3L2 (LANDIS 3L2) 는 그라인딩 (grinding) 뿐만 아니라 래핑 기능도 제공하여 매우 평평하고 부드러운 웨이퍼 표면을 달성할 수 있습니다. 랩핑 (Lapping) 에는 연마제 재료와 회전 플래튼 (platen) 을 사용하여 표면 불완전성을 제거하고 높은 정도의 표면 편평도를 만듭니다. 이 기계의 랩핑 (lapping) 프로세스는 매우 효율적이고 일관성이 높으며, 제조업체는 뛰어난 표면 품질과 균일성을 갖춘 웨이퍼를 생산할 수 있습니다. 또한, 3L2는 고급 연마 기능을 갖추고 있으며, 반도체 제작의 엄격한 요구 사항을 충족시키는 웨이퍼 (wafer) 를 최종적으로 마무리 할 수 있습니다. 연마 (Polishing) 는 최적의 장치 성능 및 신뢰성을 달성하는 데 필수적인 웨이퍼의 표면 매끄러움과 반사성을 향상시키는 데 중요한 역할을합니다. 공구의 연마 모듈은 재료 제거 속도 (material removal rate) 및 표면 마무리 (surface finish) 를 정확하게 제어하도록 설계되어 있어 웨이퍼가 반도체 산업의 정확한 표준을 충족시킵니다. LANDIS 3L2 (3L2) 자산의 핵심 강점 중 하나는 다양한 웨이퍼 크기와 재료를 처리하는 다용성과 유연성입니다. 이 모델에는 다양한 웨이퍼 (Wafer) 사양과 처리 요구 사항을 충족하도록 조정할 수 있는 조정 가능한 프로세스 매개변수 (Adjustable process parameter) 및 공구 구성 (Tooling Configuration) 이 장착되어 있습니다. 이러한 적응성을 통해 3L2는 생산 프로세스를 최적화하고 여러 제품 라인에서 우수한 와퍼 (wafer) 품질을 달성하려는 반도체 제조업체에 이상적인 솔루션이 됩니다. 또한, LANDIS 3L2 장비는 고급 자동화 및 모니터링 기능을 통합하여 웨이퍼 처리 작업을 간소화하고 생산성을 향상시킵니다. 시스템의 지능형 제어 소프트웨어를 사용하면 압력, 속도, 온도 등 프로세스 변수를 실시간으로 모니터링하여 일관성 있고 반복 가능한 결과를 얻을 수 있습니다. 자동화된 툴 변경/조정 기능을 통해 운영 효율성과 프로세스 안정성을 향상시키고, 다운타임을 줄이고, 전반적인 처리량을 높일 수 있습니다. 요약하자면, 3L2 웨이퍼 그라인딩 (grinding), 랩핑 (lapping) 및 연마 장치 (polishing unit) 는 뛰어난 품질과 일관성을 갖춘 웨이퍼의 정밀 처리를 달성하려는 반도체 제조업체를위한 최첨단 솔루션을 나타냅니다. 첨단 기능, 다용도 설계 (versatile design), 자동화 (automation) 기능을 갖춘 이 기계는 반도체 제작의 효율성과 혁신을 주도할 수 있으며, 기업의 까다로운 요구 사항을 충족하고 경쟁력 있는 시장 환경에서 앞서갈 수 있도록 지원합니다.
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