판매용 중고 ENGIS EJW-400IFN #9258273
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ID: 9258273
웨이퍼 크기: 4"
빈티지: 2014
CMP System, 4"
SiC and GaN
Spare parts:
(3) CMP Pad hard materials: Ø380 mm
(9) CMP Final pads 545N-380: Ø380 mm
(5) CMP Standard pads 545N-380: Ø380 mm
(5) CMP Pads 530N2700-380: Ø380 mm
(2) KRYTOX DuPont performance lubricants (1 kg)
(2) CMP Conditioners
TYGON Flexible tubes for slurry of several diameters
DMP Pad (Used with diamond slurry)
Slurry metallic dispensing tube: IDØ 1 mm
Slurry metallic dispensing tube: IDØ 2 mm
FUJIMI Slurry 0901 Part A
FUJIMI Slurry 0902 Part A
FUJIMI Slurry 0901 Part B
FUJIMI Slurry 0902 Part B
ENGIS Colloidal silica polishing compound (0.05 um) 1 Gallon
SINMAT TSW-600 Super abrasives 4000 ml
CMP Metallic table
CMP Weight set
CMP Wafer membranes and adapter, 2"
Transformers and manuals included
Air pressure: 0.4 MPa
Power supply: 200 V, 3-Phase, 20 A
2014 vintage.
ENGIS EJW-400IFN은 반도체 웨이퍼 및 웨이퍼 기판 제작에 사용하도록 설계된 최첨단 웨이퍼 그라인딩, 랩핑 및 연마 장비입니다. 이 시스템은 함께 작동하는 여러 구성 요소를 사용하여 웨이퍼 척 (wafer chuck), 그라인딩 미디어 (grinding media), 랩핑 컴파운드 및 연마 패드를 포함하여 뛰어난 결과를 생성합니다. "웨이퍼 '척 은 부대 의 기지 이며, 연삭 과 연마 과정 이 진행 되면서" 웨이퍼' 를 안전 하게 보관 한다. "웨이퍼 '를 빠른 속도 로 회전 시킬 수 있고 상하" 서피스' 에서 조절 할 수 있는 압력 을 가할 수 있다. 세라믹 (ceramic) 이나 연마 (marrasive) 입자로 구성된 그라인딩 미디어 (grinding media) 는 원하는 표면 평탄도가 달성 될 때까지 웨이퍼 양쪽에서 재료를 갈아 내는 데 사용됩니다. 연삭 과정 중 에 "와퍼 '에" 그라인딩' 압력 을 가하여 기계 는 표면 의 거칠기 와 평평 함 의 극히 조밀 한 내성 에 도달 할 수 있다. 원하는 표면 거칠기가 달성되면 랩핑 화합물이 사용됩니다. 이 화합물은 웨이퍼의 표면 마무리를 더 다듬는 연마 입자를 포함합니다. 랩핑 (lapping) 과정에서 미디어는 필요한 동작을 수행하는 로봇 암 (robotic arm) 에 연결되어 웨이퍼 (wafer) 의 두 표면을 완벽하게 커버할 수 있습니다. "랩핑 '과정 이 끝나면" 로봇' 암 은 "랩핑 '화합물 을 제거 하고" 웨이퍼' 는 연마 할 준비 가 된다. 연마 과정은 연마 패드를 사용하여 웨이퍼의 표면 마무리를 더욱 구체화합니다. 연마 패드 (polishing pad) 는 부드러운 거품 또는 나일론 연마 디스크로 웨이퍼의 표면을 더 세련되고 매끄럽게 만들 수 있습니다. 연마 "패드 '는" 랩핑' 에 사용 되는 동일 한 "로봇 '암 에 장착 되며, 고속 으로 회전 하여" 웨이퍼' 표면 을 부드럽게 돌린다. 그런 다음, "로봇 '의 팔 은 그 후 에 연마 하는" 패드' 를 파괴 하여 처분 과 청소 의 필요성 을 없애 준다. EJW-400IFN 웨이퍼 그라인딩, 랩핑 및 연마 도구는 반도체 웨이퍼 및 웨이퍼 기판에 대한 표면 준비에서 탁월한 정확성과 정확성을 제공합니다. 신뢰할 수 있고, 안전하며, 시간이 지남에 따라 신뢰할 수있는 결과를 얻을 수 있습니다.
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