판매용 중고 EBARA EPO-222T #9226873

EBARA EPO-222T는 화학 기계 연마 (CMP) 공정을 통해 고 수율 실리콘 전자 준비를 위해 설계된 웨이퍼 그라인딩, 랩핑 및 연마 장비입니다. 최소 3 미크론의 다이 피치로 최대 3 인치 웨이퍼를 처리 할 수 있습니다. 이 시스템에는 프로그래밍 가능한 다운 힘, 프로세스 압력 제어, 강제 보정 (force correction) 과 같은 고급 연마 기능이 장착되어 있습니다. EBARA EPO222T 는 일반 유닛 성능 모니터링, 실시간 프로세스 데이터 수집, 연마 프로세스의 무결성 및 유효성을 보장하기 위해 모든 관련 데이터 기록 (CCTV) 을 위한 터치에 민감한 LCD 인터페이스 및 데이터 획득 소프트웨어가 포함된 통합 Touch Screen Controller 를 갖추고 있습니다. EPO 222T는 8 인치 직경, 2 축 회전 웨이퍼 처킹 단계 (5 축 동작 플랫폼) 를 특징으로하여 웨이퍼 표면의 제어 가능한 힘/횡속 및 정밀한 공간 위치를 허용합니다. 또한 단일 런에서 최대 15 개의 웨이퍼를 처리 할 수있는 웨이퍼 슬라이더 단계 (wafer slider stage) 세트가 포함되어 있습니다. 웨이퍼 슬라이더 어셈블리는 다이-투-다이 (die-to-die) 간섭을 방지하면서 웨이퍼 반지름에 걸친 강제 분포를 보장합니다. wafer-to-wafer 방향으로 균일 한 연마 결과를 보장하기 위해 통합 턴테이블이 제공됩니다. 이 기계에는 두 개의 연마 헤드가 포함되어 있으며, 동시에 이중 축 표면 회전을 위해 독립적으로 작동 할 수 있습니다. 연마 헤드 (polishing head) 의 디자인은 플로팅 타입 스타 (floating-type star) 구조와 공기 베어링 기술을 통합하여 최적의 재료 제거를 위해 전체 표면에서 정확하게 제어 된 접촉 압력을 허용합니다. 별 고리 (star ring) 에는 내부 및 외부 고리의 독립적 인 공압 제어를 위해 방사형 댐 (radial dam) 세트가 포함되어 있어 연마 조건에서 추가 유연성을 제공합니다. EPO222T에는 고급 IPM (in-process monitoring tool) 및 연마 프로세스의 닫힌 루프 제어가 장착되어 있어 뛰어난 프로파일 데이터와 고급 프로세스 결과를 제공합니다. IPM은 정렬 레이저 (alignment laser) 를 사용하여 웨이퍼 위치의 중심 좌표를 측정하고 연마 동심을 모니터링합니다. 폐쇄 루프 제어 자산 (closed-loop control asset) 은 조정 가능한 연마주기 및 압력 곡선을 사용하여 정확한 힘 조절 및 프로그래밍 가능한 프로세스 조건을 허용합니다. 이 모델에는 다양한 슬러리 (slurry) 유형을 사용할 수 있는 유체 배달 (fluid delivery) 장비가 장착되어 있어 유연성과 반복 가능한 공정이 보장됩니다. 또한 소프트웨어 및 하드웨어 보호 장치 (예: 제한 스위치, 사진 센서, 과부하 방지) 를 갖춘 안전 보호 시스템이 포함되어 있습니다. 전반적으로 EBARA EPO 222T는 IC 제조 산업에 우수한 품질의 결과를 제공하는 고급 웨이퍼 그라인딩, 랩핑 및 연마 장치입니다. 초정밀 웨이퍼 프로세싱 (wafer processing) 및 다용도 설정이 가능하여 높은 생산 환경과 R&D 설정에 모두 적합하므로 반도체 IC 제작을 위한 안정적이고 비용 효율적인 솔루션입니다.