판매용 중고 AIXTRON Crius I #9188566

AIXTRON Crius I은 반도체 및 광전자 장치의 개발 및 조작 (manfacturing) 에 사용하도록 설계된 고급 에피 택시 원자로입니다. 이 원자로는 20 년 이상 정제 된 AIXTRON 주력 금속 유기 화학 증기 증착 (MOCVD) 기술을 사용합니다. Crius I은 높은 처리량과 손쉬운 확장성을 위해 설계된 단일 웨이퍼, 일괄 처리 도구입니다. AIXTRON Crius I은 최대 튜브 회전 속도가 12,000rpm 인 수직, 다중 튜브 원자로이며 14 위치 카세트로드 및 언로드 스테이션입니다. 반응 챔버에는 13 ° 경사의 AIXTRON SLV 빔 (Signature Low Vibration Beam) 이 장착되어 있습니다. 이것 은 가공 하는 "웨이퍼 '에 균질 하고 훌륭 한 표면 마무리 를 제공 해 주며," 웨이퍼' 가장자리 를 대폭 낮춘다. 또한 Crius I은 핫 월 서셉터 (hot-wall susceptor) 를 갖추고 있으며, 뛰어난 제어 및 정확도로 최대 1100 ° C의 온도에서 작동 할 수 있습니다. AIXTRON Crius I은 광범위한 공정 화학과 도펀트 가스 화학이 가능한 확장 가능한 시스템입니다. 저용량 (low-volume) 과 대용량 (high-volume) 운영 모두를 수용할 수 있으며 독립형 및 클러스터 구성을 모두 제공합니다. 플렉스 모드 (FlexMode) 를 사용하면 두 프로그램 사이에 공구 (Tool) 원자로 챔버 매개변수를 빠르게 수정할 수 있으며, 오랜 개입을 수행하지 않고도 프로세스 레시피를 중간에 변경할 수 있습니다. Crius I은 독점 프로세스 제어 소프트웨어 (Turbo SoftTune) 를 사용하여 메뉴 기반 작업을 단순화합니다. IAC (Intelligent Adaptive Control) 는 활성 매개변수 감지 및 수정으로, 주어진 응용 프로그램에 대한 올바른 작동 매개변수를 연마하도록 설계되었습니다. 또한 AIXTRON 용광로 기술로 레트로 장착되어 크리스탈 성장과 장치 제조의 수직 통합이 가능합니다. 요약하면, AIXTRON Crius I epitaxial 원자로는 반도체 및 광전자 장치의 개발 및 제조를위한 고급 자원입니다. 높은 처리량, 낮은 진동 빔, 핫 월 서셉터 (hot-wall susceptor) 기술을 제공하여 섬세한 프로세스에 대한 복잡한 제어를 가능하게 합니다. 고급 프로세스 제어 시스템 (Process Control System), 확장 가능한 아키텍처 (Expandable Architecture), 유연한 운영 모드 (Flexible Mode of Operation) 를 통해 안정적이고 패밀리 리소스가