판매용 중고 TEL / TOKYO ELECTRON ACT 12 #9216584

TEL / TOKYO ELECTRON ACT 12
ID: 9216584
웨이퍼 크기: 8"
빈티지: 2000
(2) coat / (4) develop system, 8" 2000 vintage.
TEL/TOKYO ELECTRON ACT 12는 TEL Ltd에서 개발 한 고성능 포토 esist 장비입니다. 리소그래피 노출에 깊은 자외선 (deep-UV light) 을 사용한 다음 시스템의 광학 정렬 및 어셈블리에 의해 처리됩니다. 따라서 해상도가 높은 이미징 및 프로세스 균일성 (특히, 최고급 노출 장치 (Top-of-the-Line Exposure Unit) 과 함께 사용할 경우) 으로 노출 속도가 빨라집니다. 광저항 장치 (photoresist unit) 는 여러 층의 포토 저항재 (Photo Resist Material) 를 사용하여 레이어의 빛을 선택적으로 흡수 및 배출하여 원하는 패턴을 형성합니다. TEL ACT 12에서, 액체 필름 형성 포토 esist는 다중 레벨 저항 스택의 첫 번째 층 역할을합니다. 이어서, 이 필름은 광사 내 분자 중합체 사슬을 포토 에치하기 위해 빛에 노출된다. 이 노출 과정 (Exposure Process) 은 필름의 요소를 동시에 빛에 노출되지 않는 동안 원하는 패턴을 유지합니다. 일단 노출되면, 광전물층은 2 차 노출 물질과 화학 반응을 겪는다. 노출 물질, 일반적으로 전자 빔 (electron beam) 은 에칭 제로서 작용하여 포토 esist 층의 패턴을 더욱 다듬습니다. 이 과정을 통해 더 세밀한 해상도 이미징, 향상된 에칭 제어 (etching control) 및 에치 (etch) 깊이에 대한 더 높은 수준의 제어가 가능합니다. 또한, 전자 빔은 동시에 여러 층의 photoresist를 정확하고 빠르게 에치 할 수 있습니다. 마지막으로, 포토 esist 층의 개발 과정은 개발자 화학을 사용하여 개발 후 린스 (post-development rinse) 로 완료된다. 이 린스는 photoresist 레이어의 나머지 노출되지 않은 영역을 제거합니다. 이 개발 후 프로세스는 photoresist 레이어에서 원하는 패턴 만 효과적으로 남깁니다. 해상도 향상 외에도 TOKYO ELECTRON ACT12의 노출 및 에칭 프로세스는 더 넓은 노출 범위와 향상된 노출 정확도를 제공합니다. 결론적으로 TEL ACT12는 TOKYO ELECTRON Ltd가 개발 한 고성능 포토 esist 기계입니다. 해상도 이미징 및 프로세스 균일성을 높여 노출 시간을 단축할 수 있습니다. 이 도구는 딥 -UV 라이트, 전자 빔 노출, 포스트 개발 개발자 화학과 결합하여 다중 레벨 저항 스택을 사용하여 포토 esist 레이어에서 원하는 패턴을 정확하고 빠르고 빠르게 제작하고 개발합니다. 또한이 photoresist 자산은 더 넓은 노출 범위와 향상된 노출 정확도를 제공합니다.
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