판매용 중고 EATON NOVA / AXCELIS GSD 200-HC #293829781

ID: 293829781
웨이퍼 크기: 6"
Ion implant, 6" (4) Cassettes Standard specific layout ELS Source Source analyzer magnet Y Scan and rotary Beam energy configuration: Beam energy: 10 ~ 160 keV Extraction mode: 10 ~ 80 keV Acceleration mode: 10 ~ 80 keV Vacuum pump system: Diff pump: Diff pump8 Cryo pump: CTI-8, CTI-10 Cryo compressor: CTI9700A Dry pump: IQDP40, IQDP80 Gas / Model / MFC Type AsH3 / MFC / SDS PH3 / MFC / SDS BF3 / MFC / SDS Ar / MFC / Standard.
EATON NOVA/AXCELIS GSD 200-HC는 최첨단 이온 임플랜터이며 고정밀 반도체 처리 어플리케이션을 위해 설계된 모니터입니다. 첨단 기술과 혁신적인 기능을 활용한 이 장비는 이온 (ion) 이식 프로세스에서 탁월한 성능과 안정성을 제공합니다. 코어에서 AXCELIS GSD 200-HC에는 뛰어난 정확도와 정확도로 집중된 이온 빔 (ion beam) 을 생성 할 수있는 고전류 이온 소스가 장착되어 있습니다. 이 "이온 '원 은 오염 을 최소화 하고 착상 과정 전체 에 걸쳐 일관성 있는 성능 을 보장 하기 위해 진공실 에 들어 있다. 이온 이식 과정 자체는 고에너지 이온 (ion) 으로 기판을 폭격하여 재료 특성을 수정하고 특정 전기 특성을 만듭니다. EATON NOVA GSD 200-HC는 이온의 에너지, 용량, 분배를 정확하게 제어하여 원하는 이식 프로파일을 달성하여 광범위한 반도체 제조 응용 분야에 이상적입니다. GSD 200-HC의 주요 특징 중 하나는 고급 빔라인 시스템 (advanced beamline system) 으로, 정전기 및 자기 요소를 포함하여 높은 정확도로 이온 빔을 조종하고 집중시킵니다. 이 빔라인 장치 (beamline unit) 를 사용하면 이온 (ion) 이 최소 발산과 산란으로 기판에 전달되도록 이식 과정을 정확하게 제어 할 수 있습니다. EATON NOVA/AXCELIS GSD 200-HC에는 뛰어난 빔라인 머신 외에도, 임플란테이션 프로세스를 최적화하는 포괄적인 모니터링 및 제어 도구가 장착되어 있습니다. 이 자산에는 빔 전류 (beam current), 에너지 (energy), 용량 (dose) 과 같은 주요 매개변수의 실시간 모니터링이 포함되어 있어 운영자가 최적의 성능을 위해 프로세스를 세밀하게 조정할 수 있습니다. AXCELIS GSD 200-HC 의 또 다른 중요한 기능은 고급 웨이퍼 처리 모델 (Advanced Wafer Handling Model) 로, 기판의 로드 및 언로드를 자동화하여 다운타임을 최소화하고 처리량을 극대화합니다. 이 장비는 다양한 기판 크기와 모양을 수용 할 수 있으며, 각기 다른 반도체 제조 응용 분야에 다재다능합니다. 이온 이식 프로세스의 안전성과 안정성을 보장하기 위해 EATON NOVA GSD 200-HC에는 사고를 예방하고 원활한 운영을 보장하기 위해 다양한 안전 인터 록 (Safety Interlock) 및 모니터링 시스템이 장착되어 있습니다. 이러한 안전 기능에는 방사선 탐지 센서, 진공 누출 탐지기, 운영자 및 장비를 보호하는 비상 종료 메커니즘이 포함됩니다. 전반적으로, GSD 200-HC는 반도체 제조 응용 프로그램에 탁월한 성능, 안정성 및 다용성을 제공하는 최첨단 이온 임플란터 및 모니터를 나타냅니다. 첨단 기술과 혁신적인 기능을 갖춘 이 시스템은 반도체 업계의 고정밀도 임플란테이션 (implantation) 프로세스에 적합하므로 장치 성능 (performance) 과 수율 (yield) 을 최적화하는 데 필수적인 도구입니다.
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