판매용 중고 EATON NOVA / AXCELIS 1204990 REV C #9145256

EATON NOVA/AXCELIS 1204990 REV C는 AXCELIS 에서 제조한 이온 임플랜터 및 모니터 장치입니다. 이 장치는 도핑 영역이있는 실리콘 웨이퍼 도핑 (doping) 과 같은 반도체 제작 프로세스에 사용됩니다. AXCELIS 1204990 REV C는 정확하고 균일 한 전기 특성을 위해 고급 이온 이식 기술을 사용합니다. 이 장치에는 x-y 스캐너, 웨이퍼 스테이지, 멀티 필라멘트 (multi-filament) 이온 소스가 장착 된 컨트롤러 장치가 모두 단일 프레임으로 결합되어 자동 시스템에 통합되어 있습니다. 웨이퍼 스테이지 (wafer stage) 는 가공하는 동안 실리콘 웨이퍼를 잡고 회전하는 데 사용됩니다. 스캐너는 원하는 도핑 위치를 달성하기 위해 이온 빔 (ion beam) 의 정확한 배치에 사용됩니다. 다중 필라멘트 이온 소스 (multi-filament ion source) 는 이온 빔 형성 광학의 구성 요소로, 고효율적인 플러스 또는 원하는 요소의 마이너스 이온 빔을 생성하고 웨이퍼의 목표 영역으로 안내합니다. EATON NOVA 1204990 REV C (Rev C) 는 이온 빔 이식 프로세스를 정확하게 제어하여 이온의 에너지, 용량 및 프로파일을 완벽하게 제어 할 수 있도록 설계되었습니다. 컨트롤러는 전압, 전류, 이온 종에 대한 설정 가능한 값으로 상수 전류 및 상수 전압 임플란테이션 모드를 모두 제어 할 수 있습니다. 이 장치에는 이온 임플란테이션 프로세스 (ion implantation process) 의 품질 (quality) 을 모니터링하고 유지할 수 있는 다양한 모니터링 시스템이 장착되어 있습니다. 1204990 REV C (Rev C) 는 그래픽으로 표현된 데이터를 표시할 수 있어 프로세스의 심도 있는 그림을 제공합니다. EATON NOVA/AXCELIS 1204990 REV C는 반도체 제작에서 이식 프로세스를 제어하고 모니터링하는 데 이상적인 장치입니다. 이온 이식 프로세스를 매우 정확하게 제어하고, 복잡하고 정확한 도핑 (doping) 결과를 가능하게 합니다. 또한 통합 모니터링 시스템 (Integrated Monitoring Systems) 을 통해 프로세스 매개변수를 유지하여 고품질 최종 제품을 보장할 수 있습니다. AXCELIS 1204990 REV C (Rev C) 는 첨단 기술과 정확한 제어를 통해, 반도체 제작에서의 이식 및 모니터링을 위한 안정적이고 다양한 장치입니다.