판매용 중고 TEGAL 901e #75520
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ID: 75520
웨이퍼 크기: 4"
Plasma Etcher, rebuilt Cassette to Cassette, Polysilicon / Silicon Nitride
Currently configured for 4" wafers
ENI 1000 Watt 13.56 MHz RF Generator
20 Process recipe capability
Non-friction spatula pick and place wafer transport
Leybold D65 oxygen service pump
Tegal Closed loop temperature controller
Chart recorder for endpoint trace monitoring
DEC Monitor and keyboard
Manuals included
Facility requirements
200-240 VAC selectable (50/60hz) single phase
RF Generator 200-240 VAC selectable (plugs into 901e)
Monitor 115VAC (plugs into 901e)
Chart Recorder 115VAC (plugs into 901e)
Vacuum pump 200-230 VAC 3-phase
Temperature controller 115 VAC
CDA or N2 regulated to 80 +/- 5 psi
N2 regulated 15 to 30 psi
Process gas’s regulated to 15+/- 5psig (Regulators currently installed on table)
O2 clean regulated to 10+/- 5psi
901e Vacuum pump connection KF-40 Flange
901e Cabinet exhaust connection 4” 100 cfm.
TEGAL 901e는 반도체 제조 산업에서 중요한 도구가 된 벤치 탑 Plasma Asher/Etcher입니다. TEGAL Corporation이 개발 한 TEGAL 901 E는 매우 효율적이고 신뢰할 수있는 장비로, 다양한 에칭 및 애싱 프로세스에 사용할 수 있습니다. 901e는 기본 장치, 전원 공급 장치, 컨트롤러, 조절 가능한 샘플 홀더 및 챔버로 구성됩니다. 901 E의 기본 단위는 강성 알루미늄 합금으로 만들어졌으며 상단 플래튼 (platen) 과 2 개의 측면 액세스 도어를 포함합니다. 시스템의 전원 공급 장치는 최대 1,000V 의 전압과 최대 1,000 mA 의 전류를 사용합니다. 전원 공급 장치는 TEGAL 901e (TEGAL 901e) 에서 다양한 전원 프로파일을 제공하여 다양한 애싱 (ashing) 및 에칭 (etching) 프로세스를 수행할 수 있도록 구성할 수 있습니다. TEGAL 901 E 컨트롤러는 직관적인 그래픽 사용자 인터페이스 (Graphical User Interface) 와 진단 기기 (Diagnostic Instruments) 를 통해 쉽게 사용자 인터페이스 및 장치를 제어할 수 있습니다. 샘플 홀더는 다양한 샘플 (sample) 재료를 도입 할 수 있도록 조정이 가능합니다. 챔버 (chamber) 는 비활성 대기를 허용하여 프로세스 환경을 최대한 제어할 수 있습니다. 901e는 박막, 금속, 중합체, 반도체 및 유전체를 포함한 두 재료 표면을 에치 (etch) 하거나 둘 다 사용할 수 있습니다. 이 기계는 빠른 처리 시간 (process time) 을 제공하여 몇 초 내에 샘플을 에칭 (etching) 하거나 재싱 (ashing) 할 수 있으며 완료 시 재료가 손상되지 않습니다. 결론적으로, 901 E는 매우 효율적이고 신뢰할 수있는 다기능 asher 및 etcher입니다. 공정 환경 (process environment) 과 빠른 공정 시간 (process time) 을 정확하게 제어하는 기능을 갖춘 TEGAL 901e는 반도체 제조 산업에 중요한 도구입니다.
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