판매용 중고 ASML Twinscan NXE 3800E #293817818
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ID: 293817818
EUV lithography system
Numerical Aperture (NA): 0.33
Resolution: 13 nm
DCO: 0.8
MMO: 0.9
Throughput (WPH): 220.
ASML Twinscan NXE 3800E는 사진 해설계의 주요 제조업체 인 ASML이 개발 한 최첨단 반도체 석판 장비입니다. 이 웨이퍼 스테퍼 장비 (Wafer Stepper Equipment) 는 더 작은 기능의 고급 반도체 부품에 대한 수요 증가와 반도체 업계의 고해상도 (Resolution) 기능을 충족하도록 설계되었습니다. Twinscan NXE 3800E의 중심에는 EUV (Extreme Ultraviolet) 석판화 기술이 있는데, 이는 파장 13.5 나노미터의 빛을 사용하여 전통적인 광학 석판화 기법과 비교하여 뛰어난 해상도와 패턴화 정확도를 달성합니다. EUV 리소그래피 (lithography) 는 기능 크기가 7 나노미터 인 반도체 장치를 생산하여 차세대 마이크로 프로세서, 메모리 칩 및 기타 고급 반도체 부품을 개발할 수 있습니다. ASML Twinscan NXE 3800E는 고출력 레이저 구동 플라즈마 소스를 사용하여 EUV 조명을 생성하는 최첨단 조명 시스템을 갖추고 있습니다. 그런 다음 이 "EUV '빛 을 반사" 마스크' 위 로 향하게 되는데, 이 마스크 에는 "실리콘 웨이퍼 '로 옮길 원하는 패턴 이 들어 있다. 반사 마스크는 투영 광학 장치 (projection optics unit) 에 배치되며, 이는 마스크 패턴을 매우 정밀하게 웨이퍼 (wafer) 표면에 초점을 맞추고 투영하는 일련의 거울 (mirror) 로 구성됩니다. 트윈스캔 (Twinscan) NXE 3800E의 주요 혁신 중 하나는 고급 웨이퍼 스테이지 머신으로, 노출 과정에서 실리콘 웨이퍼의 고정밀 정렬 및 위치를 지정할 수 있습니다. 웨이퍼 스테이지 (wafer stage) 는 이동 자유도가 여러 가지이며, 웨이퍼 위치에서는 나노미터 이하의 정확도가 가능하며, 반도체 장치의 여러 계층 간의 오버레이 오류를 최소화합니다. 이 정밀도는 고급 반도체 제조 (Advanced Semiconductor Manufacturing) 에 필요한 엄격한 공차를 달성하는 데 필수적입니다. 또한, ASML Twinscan NXE 3800E에는 정교한 도량형/제어 도구가 장착되어 있어 리소그래피 프로세스를 실시간으로 지속적으로 모니터링하고 조정합니다. 이 에셋에는 EUV 광원, 마스크 정렬, 웨이퍼 스테이지 포지셔닝의 최적의 성능을 보장하는 센서, 액츄에이터, 피드백 메커니즘이 포함됩니다. 도량형 모델은 또한 초점, 용량, 균일성 (uniformity) 과 같은 리소그래피 프로세스 매개변수에 대한 자세한 피드백을 제공하여 프로세스 최적화 및 제어를 허용합니다. 또한 Twinscan NXE 3800E는 계산 리소그래피에 대한 고급 소프트웨어 알고리즘을 통합하여 복잡한 반도체 구조에 대한 마스크 설계 및 패턴 (patterning) 전략을 최적화 할 수 있습니다. 이러한 알고리즘은 머신 러닝 (machine learning) 및 인공 지능 (artificial intelligence) 기술을 활용하여 잠재적 결함 또는 프로세스 변형을 예측하고 수정하여 반도체 제조에서 높은 수율과 신뢰성을 보장합니다. 전반적으로 ASML Twinscan NXE 3800E는 반도체 리소그래피 기술의 상당한 발전으로, 고급 반도체 장치의 생산에서 해상도, 정확도 및 처리량의 경계를 추진합니다. Twinscan NXE 3800E는 EUV 리소그래피 기능, 고급 웨이퍼 스테이지 장비 (wafer stage equipment), 정교한 제어 및 도량형 기능으로, 전자 업계의 다양한 어플리케이션을위한 최첨단 반도체 부품을 제조하는 데 적합합니다.
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