판매용 중고 ASML PAS 2500 / 40 #293765923
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ID: 293765923
웨이퍼 크기: 3"
Wafer stepper, 3"
Resolution, 0.7 µm
Reticle handling PCB
Stamp up / Down
Focus laser drive
Diode control
P-Chuck pre amplifier
Blades control
Blades DR
Motor relay
Relay card
Voltage current
Interference filter
Focus servo
Reticle table table control
Timing control card
Hinds modulator
Alignment counter
Alignment Mux + Dem
Velocity card
Bar code reader
Commutator
Charge amplifier
Wafer handling
Cyber termination
Floppy termination
2500x Table control
PAS 2500T Table control
Mains switch relay card
Pin spot sensor
Wafer quality and ambient
Signal conditioning board RMS
WH Pre amplifier HTW
HV Cable with ferrite Ring
Cables / Sensors
CYBEC Transmitter, 4"
CYBEC Receiver, 4"
Hard Disk Drive (HDD)
(3) P Chuck motors
Motor realignment unit (X/Theta Reticle handling)
Boards missing.
ASML PAS 2500/40은 반도체 생산에 사용되는 고급 웨이퍼 스테퍼입니다. 이 장치 는 직경 이 40 "센티미터 '에 이르는" 웨이퍼' 를 정확 하고 안정적 으로 처리 할 수 있는 완전 한 자동 정밀 장치 이며, 리소그래피 중 에 매우 다양 한 과정 을 수행 한다. 이 시스템은 전체 Y-N Table 플랫폼을 중심으로 구축되었으며 '아연 도계 구동' 스캐닝 헤드가 위에 있습니다. 이것은 웨이퍼 표면에 매우 정밀한 레이저 펄스를 제공하여 석판 에칭 (lithographic etching) 동안 엄청나게 정확한 선분 (line segmentation) 을 허용합니다. X-Y 테이블 (X-Y Table) 을 사용하면 스테퍼 홀더에 웨이퍼를 매우 정확하게 배치할 수 있으며, 최적의 처리를 위해 플랫 평면을 제공합니다. 웨이퍼는 로봇 팔을 통해 ASML PAS 2500/40에 적재 된 후 스테퍼 홀더 내에 배치됩니다. 정렬 (Alignment) 프로세스는 스테퍼의 웨이퍼를 정확하게 배치하기 위해 발생한 다음, 기판 정렬을 위한 레티클 (reticle) 및 웨이퍼 (at-the-wafer) 정렬과 같은 다양한 정렬 프로세스가 발생합니다. 그런 다음 웨이퍼가 두 번 노출되어 18 미터와 8 미터의 저항층을 모두 받는다. 마지막으로 웨이퍼 서피스의 피쳐를 정렬해야 합니다. 이것은 'OptiChromatic' 이라는 프로세스를 통해 이루어집니다. 'OptiChromatic' 은 회절 광학 및 반음계 수차에 의존하여 이미지 크기, 배치 및 위치의 왜곡을 수정합니다. 그런 다음 웨이퍼 (wafer) 는 레이어에 필요한 선, 모양, 구조를 형성하기 위해 특정 에칭 프로세스를 따릅니다. 웨이퍼 서피스 (wafer surface) 는 주기적으로 모니터링되고 검사되어 에칭 프로세스의 정확성을 보장하며, 필요한 경우 수정이 가능합니다. 마지막으로, 에칭 프로세스가 완료되면, 웨이퍼는 스테퍼에서 언로드되어 포토리스 스트 (photoresist) 제거 단계로 전달됩니다. 여기서, 이전에 웨이퍼 (wafer) 에 적용된 포토레지스트가 제거되고, 정확하게 형성된 기능 뒤에 남는다. 결론적으로, PAS 2500/40은 리소그래피 및 에칭 프로세스에 사용되는 고급, 매우 정확한 스테퍼입니다. 반도체 생산 프로세스에 대한 중요한 정렬 프로세스, 정확성 및 신뢰성을 제공합니다. 또한 매우 정밀한 레이저 펄스 (laser puls) 를 웨이퍼 서피스 (wafer surface) 로 전달하여 정확한 선분 (line segmentation) 을 생성하여 레이어에 필요한 피쳐와 구조를 생성합니다.
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