판매용 중고 THOMAS SWAN 3x2 GaN #293808134

제조사
THOMAS SWAN
모델
3x2 GaN
ID: 293808134
MOCVD System.
토마스 스완 (THOMAS SWAN) 3x2 GaN 원자로는 높은 열 플럭스 및 낮은 전기 노이즈 레벨이 필요한 응용 분야에 사용하도록 설계된 고급, 소형, 고성능 원자로입니다. 이 원자로는 혁신적인 디자인을 사용합니다. 삼각형 패턴으로 3 인치 두께의 게르마늄-질화물 (GaN) 반도체 벽돌 주위에 지어졌습니다. 그 들 의 큰 질량 은 다른 물질 을 사용 하여 가능 한 것 보다 더 큰 열 용량 을 제공 해 주며, 이것 을 통해 "로오터 '는 열 폭주 에 이르지 않고도 더 높은 온도 의 방열법 을 처리 할 수 있다. 동시 에, "가엔 '반도체 의 층 구조 는 열 을 효율적 으로 발산 시켜, 다른 물질 보다 더 빠른 열 방출 속도 를 제공 한다. 이 GaN 벽돌을 사용하면 전기 소음 수준에서도 이점이 있습니다. 벽돌의 층 구조는 더 매끄럽고 균일 한 전기 신호 (electrical signal) 를 제공하는데, 이는 원자로 근처의 다른 전자 제품 (electronics) 을 방해 할 수있는 전기 노이즈를 감소시킵니다. 열 충격 저항은 또 다른 이점입니다. 가엔 (GaN) 구조는 온도의 갑작스런 변화에 대한 효과적인 저항에 빌려서 열 폭주 위험을 감소시킨다. 3x2 GaN 원자로의 견고한 설계는 교체 부품의 필요성을 최소화합니다. GaN 반도체 벽돌을 포함한 모든 부품은 경량 티타늄 합금 케이싱 (titanium-alloy casing) 에 보관되어 있어 마모 (wear) 와 눈물 (tear) 에 대한 탁월한 보호 기능을 제공하여 원자로가 시간이 지남에 따라 성능과 안정성을 유지합니다. THOMAS SWAN 3x2 GaN 원자로는 높은 수준의 전력 출력 및 열 관리가 필요한 어플리케이션에 적합한 선택입니다. 독보적인 설계와 견고한 구조로 뛰어난 성능, 안정성, 수명을 제공하므로 높은 열 플럭스 (Fluxe) 와 낮은 수준의 전기 노이즈 (Noise) 로 어플리케이션을 처리할 수 있습니다.
아직 리뷰가 없습니다