판매용 중고 TEL / TOKYO ELECTRON Probus SiC #293813749

TEL/TOKYO ELECTRON Probus SiC는 실리콘 카바이드 (SiC) 재료를 사용하는 반도체 장치 생산을 위해 설계된 최첨단 첨단 원자로입니다. 이 원자로는 최첨단 기술과 혁신적인 설계를 활용하여 SiC 기반 장치 제조를 위한 고성능/고성능 (Hi-Throughput) 프로세스를 구현합니다. TEL Probus SiC 원자로의 중심에는 수직 용광로 챔버 (vertical furnace chamber) 가 있으며, 이는 SiC 재료의 성장 및 처리에 맞게 특별히 조정되어 있습니다. 수직 설계는 SiC 결정의 효율적인 열 전달 및 균일 한 성장을 가능하게하며, 웨이퍼 전체에 걸쳐 고품질의 균일 한 재료 특성을 보장합니다. 원자로는 또한 챔버 내에서 온도 구배를 정확하게 제어 할 수있는 멀티 존 (multi-zone) 난방 장비를 갖추고 있으며, 원하는 결정 특성을 달성하고 결함 밀도를 제어하는 데 중요합니다. TOKYO ELECTRON Probus SiC 원자로의 주요 특징 중 하나는 고급 가스 전달 시스템 (gas delivery system) 으로, SiC 물질 성장 동안 사용되는 공정 가스를 정확하고 신뢰할 수 있습니다. 원자로에는 고성능 질량 흐름 제어기 (Mass Flow Controller) 와 압력 조절기 (Pressure Regulator) 가 장착되어 있어 최적의 재료 품질 및 프로세스 안정성을 위해 정확한 흐름 속도와 가스 구성을 보장합니다. 또한 가스 배송 장치 (gas delivery unit) 는 신속한 가스 전환 및 제거, 프로세스 다운타임 최소화, 전체 기계 효율성 향상을 위해 설계되었습니다. Probus SiC 원자로는 정교한 프로세스 모니터링 및 제어 도구와 통합되어 있으며, 이 도구는 온도, 가스 흐름 속도, 압력 등 주요 프로세스 매개변수에 대한 실시간 피드백을 제공합니다. 이 자산을 통해 운영자는 즉석에서 프로세스 조건을 세밀하게 조정할 수 있으며, 재료 품질 및 장치 성능을 최적화할 수 있습니다. 또한, 원자로에는 고급 자동화 기능이 장착되어 있어 레시피 기반 프로세스 제어 및 원격 모니터링, 프로덕션 워크플로우 간소화, 운영자 개입 감소 등의 작업을 수행할 수 있습니다. 웨이퍼 처리 및 로딩 측면에서 TEL/TOKYO ELECTRON Probus SiC 원자로는 처리량이 높은 카세트-카세트 로딩 모델을 특징으로하며, 단일 배치에서 여러 웨이퍼를 처리 할 수 있습니다. 이 장비는 높은 반복성과 정확한 웨이퍼 포지셔닝 (wafer positioning) 을 위해 설계되었으며, 전체 웨이퍼에 균일 한 재료 특성 및 장치 특성을 보장합니다. 또한, 원자로는 광범위한 웨이퍼 (wafer) 크기와 호환되므로 향후 프로세스 개발을 위해 생산성 및 확장성이 유연합니다. 전반적으로 TEL Probus SiC 원자로는 SiC 기반 반도체 장치 생산을위한 최첨단 솔루션을 나타냅니다. 첨단 설계, 정밀한 프로세스 제어, 고출력 (HT) 기능을 통해 전자제품, RF 통신, 기타 고성능 산업에서 차세대 어플리케이션을 위한 고품질 SiC 소재 및 장치를 구현하고자 하는 제조업체에게 이상적인 선택입니다.