판매용 중고 NOVELLUS CONCEPT 2 Altus #9171171
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ID: 9171171
웨이퍼 크기: 8"
빈티지: 2001
Chemical vapor deposition (CVD) system, 8"
Process: CVD - Tungsten dep
Module configuration: Standard
Wafer type: Notch
Module type: CVDW
SMIF Type
(2) Chambers
Software: QNX2 / 4
Module controller: MC2
Pedestal assembly type: Ped assy, 200mm MORE, D, no flat, SEMI 0
Exclusion ring type: MOER 0
Exclusion ring lift type: 02-054427-01 0
DLCM Configuration:
DLCM Type: Shrink
Cassette interface: Platform
Robot type: Mag7 (P/N: 003-1600-25)
Arm set: Dual arm (P/N: 002-0016-14)
Cool station: 3-Level
Pressure gauge:
Capacitance manometer, MKS (P/N: 750B12TCE2GK), 100Torr
MYCROLIS Throttle valve
MKS 651D-16202 Throttle valve controller
ANIMATICS CDP2407-2 Indexer controller
Slit gate valve (Chamber A, B):
02-121427-00, SMC, XGT-0402AWM-X16 Rev8
Slit gate valve (Loadlock A, B):
02-133793-00, SMC, XGT-0101AWM-X16 Rev1
Chamber configuration:
Chamber A CVD - Tungsten
Chamber B CVD - Tungsten
Pedestals: 200 mm
MOER:
Pedestal 1
Pedestal 2-5
Clean: Insitu
Millipore MDVX-100B Throttle valve
27-053468-00 Throttle valve controller
VAT 14040-PE34-0003 Gate valve
Pressure gauge:
100 Torr (Milipore, CDLD2106E), Backside
100 Torr (Milipore, CDLD2106E)
10 Torr (Milipore, CDLD1106E)
RF Match: Trazer, AMU2-1
RF Configuration:
HF RF Generator type: AE RFG 3000
MFC Size & Gas type:
Chamber A:
MFC1 / SLM / Ar
MFC2 / 50SCCM /SiH4
MFC3 / 20SLM / H2
MFC4 / 20SLM / Ar
MFC5 / 500SCCM/ WF6
MFC6 / 2SLM / C2F6
MFC7 / 2SLM / O2
MFC8 / 10SLM / Ar
MFC9 / 20SLM / H2
MFCC / 2SLM / Ar
MFCD / 20SLM / Ar
MFCE / 500SCCM / WF6
UPC1 / SLM / Ar
Chamber B:
MFC1 / SLM / Ar
MFC2 / 50SCCM /SiH4
MFC3 / 20SLM / H2
MFC4 / 20SLM / Ar
MFC5 / 500SCCM/ WF6
MFC6 / 2SLM / C2F6
MFC7 / 2SLM / O2
MFC8 / 10SLM / Ar
MFC9 / 20SLM / H2
MFCC / 2SLM / Ar
MFCD / 20SLM / Ar
MFCE / 500SCCM / WF6
UPC1 / SLM / Ar
2001 vintage.
NOVELLUS CONCEPT 2 Altus Reactor는 고급 에치 환경에서 고급 반도체 재료 처리를 수행 할 수있는 최첨단 도구입니다. 알투스 반응기 (Altus Reactor) 는 모든 유형의 관련 어플리케이션에 고품질, 고출력 에칭 기능을 제공하도록 설계된 올인원 시스템입니다. CONCEPT 2 Altus Reactor는 특히 열 산화 (thermal oxidation) 및 완화 (relamination) 와 같은 다른 처리 단계뿐만 아니라 에칭 성능을 향상시키기 위해 설계되었습니다. ICP (inductively coupled plasma) 와 RIE (high precision reactive ion etching) 및 DIBE (directional ion beam etching) 를 결합한 혁신적인 고급 에치 기술을 사용합니다. 이 고급 에치 기술 (Advanced etch technology) 은 최고의 단계 범위, 에치 매개변수의 고급 제어, 높은 처리량, 넓은 웨이퍼 영역에 대한 균일 한 에치 속도, 웨이퍼 표면의 낮은 손상을 제공합니다. NOVELLUS CONCEPT 2 알투스 리액터 (Altus Reactor) 의 주요 기능은 고급 에치 프로세서로, 사용자가 시스템에서 제공하는 고급 에치 기술을 최대한 활용할 수 있습니다. 이 프로세서는 에치 (etch) 조건의 정밀도를 높일 뿐만 아니라 유연한 매개변수와 실시간 피드백을 통해 에치 (etch) 프로세스 최적화에 대한 통찰력을 제공합니다. 이를 통해 사용자는 에치 (etch) 레시피를 빠르고 정확하게 최적화하여 애플리케이션의 최종 결과를 극대화할 수 있습니다. CONCEPT 2 Altus Reactor는 고급 자동 교정 기능 덕분에 사용하기 쉽고 유지 보수가 용이합니다. 이 기능을 사용하면 에치 챔버 (etch chamber) 를 빠르고 정확하게 조정할 수 있으며, 모든 에치 프로세스는 최대 정확도와 정확도로 수행됩니다. NOVELLUS CONCEPT 2 Altus Reactor는 고급 자동 청소 기능 및 고급 진단과 결합하여 안정적이고 효율적인 에칭 시스템을 제공합니다. CONCEPT 2 Altus Reactor는 고급 에치 기술 (etch technology), 고유한 프로세서, 사용하기 쉬운 기능 덕분에 경쟁에서 우위를 점하며, 이는 모든 반도체 에치 어플리케이션에 이상적인 선택입니다. 첨단 에치 기술 (Advanced Etch Technology) 은 관련 에칭 어플리케이션에 가장 적합한 결과를 제공하므로 고급 반도체 재료 처리를 위한 효과적이고, 안정적이며, 고품질 솔루션입니다.
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