판매용 중고 LAM RESEARCH / NOVELLUS Altus #9098899

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ID: 9098899
웨이퍼 크기: 12"
빈티지: 2012
CVD System, 12" Front UI Signal tower IOC(AWC AutoCal) EFEM & vacuum robot AWC Ceramic end effector ATM Robot arm type: Friction VAC Robot & controller: Mag7 VAC Robot arm type: Leap-frog L/L Pin lift type: Servo motor EC Controller Podloader: Vision Loadlock slit valve type: VAT Chamber slit valve type: SMC Main power box: MPD TM Throttle valve: MKS with controller TM Gate valve: MDC L/L Manometer: MKS 100Torr TM Manometer: MKS 100Torr Foreline gauge UPC: BROOKS 5866RT, 3SLM WTS Ar MFC: Aera, 2SLM ATM door type: VAT Data server IREPD Throttle valve Throttle valve controller Gate valve: VAT Spindle type (Air or Servo): Servo motor Pedestal 1 Pin lift type(Air or Servo): Servo motor F/S Pressure gauge: MKS 10 Torr F/S Pressure gauge: MKS 100 Torr Stn#2~4 B/S pressure gauge: MKS 100 Torr Stn#1 B/S pressure gauge: MKS 100 Torr IOC's: HDSIOC 0,1 and 2 ALD Valve monitoring kit Remote plasma source: Astron e/ex Pedestal Shower head UPC : BROOKS 5866RT, 3SLM Gas box : LRW MFC: GF125CXXC GF125CXXC MFC K WF6 500 MFC J WF6 500 MFC N 5%B2H6/N2 500 MFC E WF6 500 MFC 5 WF6 500 MFC I NF3 1000 MFC 4 Ar 20000 MFC 3 H2 30000 MFC C Ar 20000 MFC 9 H2 30000 MFC 8 Ar 20000 MFC 1 Ar 5000 MFC 2 SiH4 500 MFC G SiH4 500 MFC F Ar 5000 MFC D Ar 20000 MFC P Ar 20000 MFC B N2 2000 MFC M Ar 20000 MFC X 5%B2H6/N2 750 2012 vintage.
LAM RESEARCH/NOVELLUS Altus는 집적 회로 및 반도체 장치의 제조에 사용되는 멀티 챔버 VPCVD (Vacuum Plasma Chemical Vapor Deposition) 원자로입니다. 원자로 (Reactor) 는 첨단 고성능 구조의 대용량 생산에 적합하며, 두께가 매우 균일한 박막 (thin film) 을 증착 할 수 있으며, 최첨단 마이크로 전자 장치 제조에 이상적인 선택입니다. 원자로는 수송선으로 연결된 여러 개의 챔버로 구성되어 있습니다. 챔버에는 사전 청소 챔버, CVD 챔버, 에치 챔버, 냉각실 및 증착실이 포함됩니다. 사전 청소 챔버 (pre-cleaning chamber) 는 스퍼터링 (sputtering) 을 통해 웨이퍼 표면에서 먼지와 산화를 제거하는 데 도움이되는 특수 난방 서열을 사용합니다. 이어 단량체 또는 전구체를 포함한 반응물이 웨이퍼 표면에 강착 된 CVD 챔버 (CVD chamber) 가 뒤 따릅니다. 뒤 이어 "플라즈마 '" 에치 사이클' 이 나오는데, 이것 은 "웨이퍼 '표면 에서 과도 한 화학적 화합물 을 제거 하고 바람직 한 모양 을 이루는 데 도움 이 된다. 냉각 챔버 (cooling chamber) 는 증착실로 전달되기 전에 웨이퍼의 온도를 평형화하도록 구성됩니다. 증착실은 1 차 박막 증착 과정이 진행되는 곳입니다. 이것은 웨이퍼 표면에 발열 화학 활성 가스의 혼합물을 전달함으로써 달성된다. 혼합물은 지속적으로 모니터링되고 유지되며, 온도, 압력 및 기타 조건은 최적의 증착을 보장하기 위해 엄격하게 모니터링됩니다. 증착은 원하는 구조에 따라 서브 미크론에서 수십 미크론 두께로 발생할 수 있습니다. NOVELLUS Altus는 안정적이고 반복 가능한 성능을 제공합니다. 균일성 변형이 낮고 두께가 매우 균일하여 엄격한 프로세스 제어를 15nm 이하의 해상도로 재생합니다. 고도로 자동화된 배치 설계를 통해 최소한의 다운타임으로 높은 운영 처리량을 제공합니다. 원자로는 또한 뛰어난 플라즈마 제어를 자랑하며, FinFET, 변형된 계층, SOI 구조 등과 같은 고급 장치 아키텍처 및 구조를위한 길을 마련하도록 설계되었습니다.
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