판매용 중고 AMAT / APPLIED MATERIALS Producer III #9223648
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ID: 9223648
웨이퍼 크기: 8"
빈티지: 2004
Shrink system, 8"
Process: SILCU
CIM
(3) Twin chambers
Hardware configuration:
SMIF: (4) ASSYST Indexers
Handler system:
SMIF Front end robot
VHP Buffer robot
(3) Process chambers
Heat exchanger: Steelhead
High RF generator: (4) RFG 2000-2V
DPA RF Generator: ENI DPG-10
Platform type: Producer shrink
Chamber A & B & C:
Chamber body effective volume (Syscon):
Chamber A: 12980
Chamber B: 13275
Chamber C: 13300
SiH4_H: 1 SLM
SiH4-L: 300 Sccm
NH3 HI: 1 SLM
N2O HI: 3 SLM
N2O LO: 500 Sccm
N2: 10 SLM
NH3: 500 Sccm
Ar: 5 SLM
He: 10 SLM
Number of gas lines / Name: 10
RF1 & RF2 Generator (Max Power / Brand): 2000 W
Foreline pump (EBARA AAS 100WN): 10000 L/Min
Baratron off-set 626 MKS: 10 T
Lift pin type: Free drop
Lift pin speed (Timing of movement): 3580
Load lock: A & B
Configuration:
Pump capacity (EDWARDS BOC): IPX 100A
Difuser: ENTEGRIS 60 PSIG
Venting N2 flow rate: 10 SLM
Venting time: 57 Sec
Pump time: 65 Sec
Baratron Range / Brand / Off-Set: 325 Moducell MKS
Pressure set point for LL pumping switching: 45 Sec
Time delay for LL door open: 10 Sec
Transfer chamber:
Type of robot / Robot blade: Super blade
Robot speed with wafer / Runrate / Slope:
300000 / 210000
230000 / 120000
Robot speed without wafer (Ext/Rot):
200000 / 325000
230000 / 325000
MFC N2 Flow setting: 10 SLM
Chamber base pressure ( Actual / Alarm): 208 mTorr
Wafer transfer - chamber: 300 mTorr
Buffer pressure transfer chamber - wafer: 320 mTorr
Other periphere:
SiH4 HI: 29.6, 30, 36
NH3 HI 27.6, 27.8, 29
CDA Pressure: 85
HX Temperature / Flow rate: 75
N2 (P): 27
SiH4 LO
NH3 LO
N2O: 30
NF3
2004 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Producer III는 반도체 칩 제조를위한 고급 플라즈마 원자로입니다. AMAT 생산자 III는 전자 사이클로트론 공명 (ECR) 소스를 사용하여 균일 한 고밀도 플라즈마를 만듭니다. 이는 칩 생산에서 폴리 실리콘 게이트 이완기 (polysilicon gate dielectric) 및 구리 상호 연결과 같은 얇고 정밀한 재료 층을 퇴적시키는 데 중요합니다. APPLIED MATERIALS Producer III 설계를 통해 기존 시스템에 대한 프로세스 제어를 최적화할 수 있습니다. 특허를받은 웨이퍼 한정 볼륨 (wafer-limined volume) 과 저소음 기술 (low-noise technology) 은 웨이퍼의 각 영역에서 매우 균일 한 증착을 유지합니다. 생산자 III는 또한 에너지 효율성이 매우 높으며, 전력 소비가 감소하고 담보 열 개발이 최소화됩니다. 이 모든 것을 통해 AMAT/APPLIED MATERIALS Producer III는 반도체 제조업체의 칩 생산 관행을 개선 할 수 있습니다. AMAT Producer III는 여러 가지 주요 기능을 추가하여 이전 AMAT Producers I 및 II를 기반으로합니다. 두 개의 별도 RF 전원이 제공되어 웨이퍼 하단 (bottom) 과 상단 (top) 으로부터 독립적으로 증착을 제어할 수 있으므로 200 개 이상의 레이어가 증가할 수 있습니다. 또한 웨이퍼 전체에 걸쳐 매우 균일 한 가스 흐름을 유지하고 프로세스 조건을 정확하게 조절하는 독점 UHP (Ultra High Pressure) 시스템이 장착되어 있습니다. APPLIED MATERIALS Producer III는 또한 증착의 높은 유연성을 허용합니다. 전체 웨이퍼 (wafer) 에 균일 한 필름을 적용하거나 응용 프로그램에 따라 영역 (zone) 을 선택할 수 있습니다. 각 존 (Zone) 에는 개별 증착 프로세스에 맞게 조정할 수 있는 프로그래밍 가능한 매개변수가 있으며, 이를 통해 사용자는 사용자 정의 설계 프로세스를 수행할 수 있습니다. 또한, 고급 진단 및 데이터 로깅을 통해 프로세스를 오프라인으로 분석할 수 있습니다. 생산자 III (Producer III) 는 가장 정확하고 반복 가능한 증착 결과를 제공하도록 설계된 고도의 플라즈마 원자로입니다. 프로세스 제어, 유연성 및 에너지 효율성이 향상되어 AMAT/APPLIED MATERIALS Producer III는 칩 제조 프로세스에 대한 탁월한 지원을 제공합니다.
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