판매용 중고 AMAT / APPLIED MATERIALS Producer GT #9281276
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AMAT/APPLIED MATERIALS 생산자 GT Reactor는 박막 성장, 에칭 및 증착과 같은 수정으로 표면을 엔지니어링하는 반도체 제작에 사용되는 도구입니다. 이 장비를 사용하면 원하는 재료 특성을 생성하기 위해 서피스를 정확하게 조작할 수 있습니다. 이 시스템은 "ICP (Inductively Coupled Plasma)" 소스의 플랫폼을 기반으로하며 전체 샘플에 균일 한 플라즈마를 제공합니다. GT 반응기는 또한 ICP 소스를 특징으로하며, 이는 유도 코일에 의해 소스에 전송 된 RF 에너지로 구동됩니다. ICP 소스는 기존 플라즈마 소스보다 더 높은 전류 밀도를 가능하게하여 프로세스 매개변수의 유연성을 높입니다. AMAT 생산자 GT 원자로 (AMAT Producer GT Reactor) 는 여러 에너지의 정확한 배치를 동시에 제공하여 재료의 "칵테일 링 (cocktailing)" 또는 혼합 (intermixing) 을 최소화하면서 원하는 수정을 효율적으로 달성 할 수 있습니다. 소스의 정확한 배치 (placement of source) 를 통해 프로세스를 제어할 수 있으므로 개별 디바이스 아키텍처에 맞게 구성할 수 있습니다. 또한, GT 원자로는 가스상 반응을 제한하기위한 저압/고 전도성 구성, 산화물이 낮은 오염률로 올바르게 성장하도록 산화 가스 기능을 갖추고 있습니다. GT 반응기 (GT Reactor) 에는 가스 흐름 제어 장치 (gas-flow controling unit) 가 있으며, 이를 통해 연산자는 프로세스 온도와 가스 흐름 역학을 조절 할 수 있으며, 이를 통해 원하는 기하학과 특성을 가진 제품을 안정적으로 작동하고 생산할 수 있습니다. 가스-플로우 머신 (gas-flow machine) 을 통해 운영자는 가스 압력, 산화 및 기타 조건을 변화시켜 박막 층을 엔지니어링 할 수 있습니다. 이를 통해 Process Chamber 도구의 높은 수준의 프로세스 제어 특성을 활용할 수 있습니다. APPLIED MATERIALS 생산자 GT Reactor는 ICP 소스를 사용하여 에칭 프로세스를위한 고밀도 플라즈마를 생성합니다. 이를 통해 표면의 에치 부산물 (etch byproduct) 형성을 최소한으로 유지하면서 높은 에치 속도를 허용하여 열 예산을 줄일 수 있습니다. 또한 GT 원자로에는 "프런트 엔드 로드 잠금 (Front End Load Lock)" 도구가 있으므로 진공을 끊지 않고도 쉽게 도구 웨이퍼 교환을 할 수 있습니다. Wafer 는 무결성 (Integrity) 을 그대로 유지하면서 신속하고 손쉽게 Tool 안팎으로 이동할 수 있으며, 다양한 프로세스를 처리하고, 변화하는 운영 요구 사항을 원활하게 조정할 수 있습니다. 생산자 GT 반응기 (Producer GT Reactor) 는 반도체 제작에서 원하는 재료 특성을 가진 표면을 정확하게 엔지니어링하는 데 사용되는 최첨단 도구입니다. ICP 소스 (ICP source) 를 기반으로하여, 더 높은 전류 밀도와 박막 성장에서 에칭으로 수정하기에 적합한 여러 에너지 소스를 정확하게 배치 할 수 있습니다. GT Reactor에는 가스류 제어 자산, 프런트 엔드 로드 잠금 (Front End Load Lock) 및 저압/고도체 구성이 포함되어 있어 안정적인 작동을 보장하고 오염을 최소화합니다. ICP 소스를 활용하면 고급 디바이스 구성 요구 사항에 이상적인 높은 에치 속도 (etch rate) 를 제공할 수 있습니다.
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