판매용 중고 AMAT / APPLIED MATERIALS P5000 #188546

AMAT / APPLIED MATERIALS P5000
ID: 188546
웨이퍼 크기: 8"
CVD systems, 8".
AMAT/APPLIED MATERIALS P5000은 반도체 및 태양 광 소자 생산을 위해 특별히 설계된 원자로입니다. RIE (Reactive Ion Etching) 및 스퍼터링 프로세스 장비로, 광범위한 재료를 사용할 수 있습니다. AMAT P-5000 원자로는 진공실, 에치 가스 분포 매니 폴드, 가스 일치 시스템, 제어 및 도량형 장비로 구성됩니다. 챔버 (chamber) 는 스테인리스 스틸 벽 (stainless steel wall) 으로 만들어졌으며 내부는 열 안정성이 높은 비금속 물질로 만들어졌습니다. 에치 가스 분포 매니 폴드에는 일련의 밸브와 노즐 (nozzle) 이 장착되어 정확한 에칭을 용이하게합니다. APPLIED MATERIALS P 5000 원자로는 고압 및 저압 조건에서 작동할 수 있으며, 최대 압력 범위는 1-10 Torr입니다. 온도 조절은 서모커플을 통해 달성되는 반면, 질량 흐름 제어기 (mass flow controller) 는 에치 공정의 정확한 화학을 관리합니다. 이 장치를 사용하면 빠른 원자로 매개변수 조정 및 에치 (etch) 프로세스에 대한 정확한 제어가 가능합니다. AMAT P 5000 원자로에는 정확도 향상을 위해 디지털 제어기 (digital control machine) 가 장착되어 있어 에칭 프로세스를 정확하게 제어할 수 있습니다. 이 공구는 고급 가스 믹싱 에셋 (gas mixing asset) 으로 인해 높은 제거 속도를 제공 할 수 있으며, 이는 반응 챔버 전체에서 정확하고 균일 한 가스 흐름을 제공합니다. 이 모델은 또한 반응성이 높은 산소 및 질소 플라즈마를 생성 할 수있는 플라즈마 발전기를 특징으로합니다. 이를 통해 고급 에치 레이트 (etch rate) 제어를 통해 0.5 um 정도의 작은 기능을 정확하게 제거할 수 있습니다. P5000 원자로는 금속, 실리콘, 게르마늄, 폴리 이미드 등 다양한 물질과 협력 할 수 있습니다. 강력한 이온 에칭 (etch) 을 통해 에치 프로세스를 세밀하게 튜닝하여 정밀한 플럭스 제어 (flux control) 및 피쳐 너비 제어를 허용합니다. 이 장비는 에치 가스 (etch gase) 를 선택하여 적용에 따라 0.3 미크론에서 50 미크론 사이의 에치 속도 (etch speed) 를 정확한 에치 종 (etch species) 을 선택할 수 있습니다. AMAT/APPLIED MATERIALS P-5000 원자로는 고급 온도, 압력 및 에치 가스 제어를 통해 높은 수준의 공정 안정성을 제공합니다. 또한, 디지털 제어 시스템은 정확한 etch 프로세스 제어 및 데이터 로깅을 허용합니다. 이 장치는 온도, 압력, 흐름 등 모든 작동 매개변수에 쉽게 액세스할 수 있도록 설계되었습니다. 이렇게 하면 에칭 프로세스 중에 이러한 매개변수가 쉽게 변형됩니다. 이 기계는 또한 다양한 매개변수를 모니터링하여 에치 프로세스 (etch process) 재생성을 정확하게 할 수 있습니다. AMAT/APPLIED MATERIALS P 5000 원자로는 태양광 및 반도체 장치의 고정밀, 고품질 생산을위한 이상적인 도구입니다.
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