판매용 중고 AMAT / APPLIED MATERIALS Endura II Aluminum Interconnect #9392312
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ID: 9392312
Physical Vapor Deposition (PVD) System, 12"
Process: Reflowsput
Chamber Position
C- Process type reactive PC
Process type SIP Ti: 1 And 5
Process type ALPS: 2
HT Al: 3 And 4
D - RT DSTTN
Process Type: Reactive PC
Chamber position: C
Chamber body:
Al
Part number: 0040-76718
Slit valve
Seal: Bonded
Door part number: 0040-84391
Bias Generator Frequency: 13.56 MHz and 2 MHz(In one generator)
RF:
Coil generator: COMDEL CDX-2000
Match box: 0010-21748 / 0010-52033
AMAT / APPLIED MATERIALS Part number : 0190-23308
Adaptor part/number: 0041-02659
Upper shield part/number: BELLJAR 0040-55456
Treatment (Arc spray / bead blast): AL2O3
Lower shield part/number: 0040-86514
Treatment (Arc spray / bead blast): Bead Blast
inner / mid shield part/number: 0021-19342
Shield clamp part/number: 0020-19258
Inner / mid shield clamp part/number: Insulator 0200-01903
Cryo gate valve (2/3 Pos): PENDULUM
MFC 1
Gas: He
Cal Factor: 1
Size: 300
Type: He
Part number: 0010-44160
MFC 2
Gas: Ar2
Cal Factor: 1
Size: 200
Type: Ar
Part number: 3030-13113
MFC 3
Gas: A
Cal Factor: 1
Size: 20
Type: Ar
Part number: 3030-13116
MFC 4
Gas: (MFC6) H2
Cal Factor: (MFC6) 1
Size: (MFC6) 100
Type: (MFC6) H2
Part number: (MFC6) 0015-02990
Chamber base pressure (T): 0.0000002
Chamber Rate of rise (nTorr / min): 15000
Process Ar supply pressure: 34.7
Process N2 supply pressure: 33.9
Vent Ar pressure: 47.7
Optional Gas (He): 30.1
CDA: 95.7
Slit valve CDA: 85
Cooling water flow (GPM): 0.8
Process type: SIP Ti
Chamber position: 1,5
Shutter option
chamber body:
(Al or SST): SS
Part number: 0040-98657
Slit valve:
Seal: Bonded
Valve door part number: 0040-84391
Target:
Vendor: Nikko/Tosoh
Bakeout / idle power (%): 0.4
DC Power supply (AE-MDX): AE-Pinnacle
AMAT Part number Master: 0190-08122
AMAT Part number Slave: 0190-08122
Generator size : 20kw
DC (12 kwh, 24kwh): 40 kw
Bias generator : ENI - GHW12Z
AMAT Part number : 0190-25529
Bias Generator:
Size: 1.25KW
Frequency: 13.56 MHz
Rf Match Box: 0010-02372/0010-52034
Magnet:
Rotation speed (RPM): 65
Shim thickness: Ch1:1.25mm Ch5:1.0mm
Type: LP-3.7.4
Part number: 0010-11228
Target to magnet spacing (mm): 1.5 ± 0.6
Adaptor part number: 0040-82921
Kit spacer:
Upper part number: 0040-7694
Lower part number: 0040-62877
Upper shield part number: 0020-23549
Treatment:
(Arc spray/Bead Blast): Arc Spray
(Arc spray/Bead Blast): Bead Blast
Lower shield:
Part number: 0020-02344
Clamp part number: 0020-02348
Inner / mid shield:
Part number: 0020-54777
Clamp part number: 0020-08299
Dep ring part number: 0200-08301
Cover ring part number: 0021-17770
Insulator bushing part number: 0200-00590
Shutter: 0021-25014
Pedestal:
Type: SLT FDR E-CHUCK
Part number: 0010-22985
Heater spacing in steps: -55050
Maximum Cryo regen gas load (L): 400
Cryo gate valve (2/3 Pos): 3-Position
MFC 1:
Gas: N2
Size: 200
Type: N2
MFC 3:
Gas: Ar
Size: 50
Type: Ar
MFC 4:
Gas: ArH
Size: 20
Chamber base pressure (T): 2.0 e-8
Chamber Rate-of-Rise (nTorr / min): 522
Process supply pressure:
Ar 30psi
N2 30psi
Cryo regen N2 pressure: 90
Vent Ar pressure: 40
CDA: 88
Slit valve CDA: 82
Cooling water flow (GPM): 8.9
Vent Ar pressure: 47.7
Lower shield part number: 0021-22065
Upper shield part number: 0021-21234
Process type: (RT DSTTN)
Chamber position: D
Heater spacing:
55mm
Steps: -51000
Optional gas (He): 37.9
CDA: 95.7
Cooling water flow (GPM): 11.2.
AMAT/APPLIED MATERIALS Endura II Aluminum Interconnect (AMAT) 는 알루미늄 기반 상호 연결 생산을 위해 특별히 설계된 독특한 디자인을 통합합니다. 이 원자로는 고급 반도체 및 광전자 장치의 개발에 사용됩니다. 유기 전계 효과 트랜지스터 (OFET) 및 유기 발광 다이오드 (OLED) 와 같은 기술에 이상적인 장비입니다. AMAT Endura II Aluminum Interconnect는 정확한 상호 연결을 보장하는 이방성 에칭 프로세스를 특징으로합니다. 이것은 ICP (inductively coupled plasma) 소스와 저압 플라즈마 소스의 결합 된 동작 덕분에 수직 모서리, 낮은 접촉 저항, 과도한 금속 손실 없이 높은 종횡비 금속 흔적을 식각 할 수 있습니다. ICP 소스는 통합, 컴퓨터 제어, 동적 온도 제어 시스템과 함께 저항성, 저압, 필터링 된 Ar-Cl2 (아르곤-염소) 공정 챔버와 결합됩니다. 이 조합은 정밀 연결 처리 (precision link processing) 를 제공하며, 이는 과도한 금속 손실 없이 높은 종횡비 기능을 생성 할 수 있습니다. 또한 DPC (Dynamic Pressure Control) 장치를 장착하여 프로세스 조건을 최적화하여 프로세스 제어를 강화하고 상호 연결 설계의 재생성을 향상시킵니다. 이 머신에는 프로세스 매개변수를 제어하는 데 사용할 수 있는 최신 그래픽 사용자 인터페이스 (Graphical User Interface) 도 있습니다. 또한 GDSII 파일을 가져오고 내보낼 수 있으므로 기존 설계를 APPLIED MATERIALS 상호 연결 형식으로 변환할 수 있습니다. 직관적인 명령을 통한 각층 (angular layer) 커버리지 및 제어 기능을 통해 다양한 프로세스 웨이퍼 (process wafer) 를 생성할 수 있습니다. APPLIED MATERIALS Endura II Aluminum Interconnect는 또한 향상된 평면 성 및 낮은 고유 접촉 저항으로 저온 상호 연결을 할 수있는 Filtered-Via 기술을 갖추고 있습니다. 이 기능은 상호 연결을 통해 필터링되는 자동화된 저온 폴리머 주입 도구 (automated, low-temperature polymer injection tool) 에 의해 지원됩니다. 결론적으로, Endura II Aluminum Interconnect (AMAT/APPLIED MATERIALS) 는 고급 알루미늄 기반 상호 연결을 생산하기위한 통합, 정밀, 고 생산성 및 저렴한 솔루션을 제공합니다. 이 자산은 수직 모서리, 낮은 접촉 저항성, 과도한 금속 손실없이 높은 종횡비 (aspect ratio) 금속 흔적을 생산할 수 있으므로 차세대 옵토일렉트로닉 (optoelectronic) 및 반도체 기술에 이상적인 선택이 될 수 있습니다.
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