판매용 중고 AMAT / APPLIED MATERIALS Endura 5500 #9258406

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ID: 9258406
웨이퍼 크기: 8"
빈티지: 2000
PVD Sputtering system, 8" Wafer shape: SNNF VHP Robot Chamber configuration: Chamber A: Pass chamber Chamber B: Cooldown chamber Chamber 2 and 3: HP TxZ Chamber with gas panel Chamber 4: IMP Ti Chamber Chamber C: Pre-clean II Chamber Chamber D: Pre-clean II Chamber Chamber E and F: Degas Chamber Loadlock configuration: Widebody loadlock Auto rotation Cassette type, 8" Mapping function: WWM Fast vent option SMIF Interface Mainframe configuration: Buffer robot type: HP+ Buffer robot blade: Metal blade XFER Robot type: VHP Lid hoist Status light tower Remote monitor: Stand alone Missing parts: Chamber 2 and 3: Turbo pump Turbo pump controller Chamber lid Process kits and heater Chamber 4: Cryo pump Source assy Magnet B101 Heater Lift assy RF Generator Chamber C: Turbo pump Turbo pump controller 400K RF Generator Chamber D: Turbo pump Turbo pump controller 400K RF Generator 13.56M RF Generator Mainframe: Buffer Transfer chamber cryo pump Rack electrical configuration: SBC VGA Board OMS / SEI Electrical configuration: Line voltage: 208 V RF I and II Rack: Line voltage: 208 V Compressor electrical configuration: Line voltage: 208 V 9600 Compressor, 3 Phase UPS Interface AC Rack: Line voltage: 480 V Full load current: 400 A Frequency: 60 Hz CE Marked 2000 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS/AKT Endura 5500 원자로는 반도체 처리를 위해 단일 웨이퍼 프로세스를 갖춘 고급 증착 장비입니다. 5500은 검증된 프로세스 및 자동화 기술을 통해 처리량, 생산량, 기능 충실도를 극대화할 수 있도록 설계되었습니다. 최첨단 제어 시스템 및 균일성 값이 0.2% 미만인 경우, 5500은 고급 상호 연결, 메모리, 광전자 장치 (optoelectronic device) 를 구성하는 등 가장 까다로운 프로세스 응용 프로그램을 처리하는 데 적합합니다. 5500 개의 ICP (Inductively Coupled Plasma) 소스를 사용하여 챔버 내에서 이온 이식, 증착, 스퍼터링 및 에칭 과정을 촉진하는 에너지 이온 및 라디칼 소스를 제공합니다. ICP 소스는 종합적인 온보드 프로세스 제어 시스템 (on-board process control systems) 과 결합하여 플라즈마 및 기판 조건에 대한 정확한 제어를 제공합니다. 5500은 자동화된 기판 전송 시스템을 갖추고 있으며, 이는 정확하고, 반복 가능하며, 안정적인 웨이퍼 처리를 가능하게 합니다. 또한, 일련의 탄화수소 함정 및 펠리 터 (pellitor) 는 최적의 프로세스 조건을 유지하고 오염으로부터 단위를 보호하는 데 도움이됩니다. 5500에는 이온 임플란테이션 (ion implantation) 및 스퍼터 증착률 (sputter deposition rate) 과 같은 프로세스 매개변수를 최적화하기 위해 최대 10 개의 제어 가능한 공정 가스 라인이 있습니다. 또한 5500에는 여러 개의 C2C (Cassette-to-Cassette) 스테이션이 있으며 최대 8 개의 소스 웨이퍼 로트를 동시에 처리 할 수 있습니다. 이렇게 하면 최소한의 폐기물로 처리량이 높아지고, 웨이퍼 로트 처리 (wafer lot processing) 를 초 단위로 전환할 수 있습니다. 이 기계는 또한 UED (Ultraviolet Enhanced Deposition) 기술을 사용하여 완전히 자체 형성된 광자 기능을 지원하는 통합 반응성 스퍼터링 모듈을 갖추고 있습니다. 통일성을 보장하기 위해, 5500은 업계 최고의 독점 알고리즘을 사용하여 웨이퍼 평면 전체에서 균일성을 최적화합니다. 이 도구는 또한 내장된 분석 도구 (Analysis Tool) 를 갖추고 있어 웨이퍼 전체의 균일성 (unifority) 및 프로세스 조건을 전례 없이 파악할 수 있습니다. 이 툴을 사용하면 프로세스 통합 및 최적화를 신속하게 수행할 수 있으며, 기존 방법에 비해 처리 시간 (turnaround time) 이 향상됩니다. 이 5500은 업계 최고의 균일성 (unifority) 및 반복성 (repeatability) 을 갖춘 탁월한 처리량을 제공하며, 고급 프로세스 제어 및 프로세스 지원 기능과 쌍을 이룹니다. 기능과 기능의 조합으로, 5500은 반도체 장치 제작에 사용되는 중요한 증착 (critical deposition) 프로세스에 적합한 탁월한 솔루션을 제공합니다.
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