판매용 중고 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura Ultima HDP CVD #62203

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ID: 62203
웨이퍼 크기: 8"
빈티지: 2000
Etcher, 8" (2) Ultima chamber (1) Ultima plus chamber Technology :IMD      Wafer Size : 8"      Wafer Shape : SNNF (Semi Notch No Flat)      Software Version : B4.3.14      CHAMBER TYPE AND LOCATION      Ch A : Ultima HDP-CVD      Ch B : Ultima HDP-CVD      Ch C : Ultima + HDP-CVD      Ch E : Multislot Cool Down      Ch F : Orientor      CHAMBER A,B Ultima HDP-CVD :     Nozzle : Long/Long Side      Clean Gas Distribution : Baffle      Turbo Pump : Ebara ET1600WS w/ HVA      Wafer Temperature Monitoring : Yes      Top Gas Feed : Without Top O2      Dual Independent He Control : Standard 10/10 TORR      Clean Method : Microwave      CHAMBER C - Ultima + HDP-CVD :      Nozzle : Long/Long Side      Clean Gas Distribution : Baffle      Turbo Pump : Ebara ET1600WS w/ HVA      Wafer Temperature Monitoring : Yes      Top Gas Feed : Without Top O2      Dual Independent He Control : Standard 10/10 TORR      Clean Method : Top Mount      EXISTING ELECTRICAL REQUIREMENTS      Line Frequency : 60Hz      Line Voltage : 200/208V      Line Amperage : 600A Platform      EXISTING SAFETY EQUIPMENT :      EMO type : Turn to release EMO      EMO Guard Ring : Yes      System Labels : English w/Chinese Non-simplified      System Smoke Detector : Controller      EXISTING MAINFRAME :      Mainframe Type : Ultima HDP w/Multislot      Frame Type : Standard Frame      System Placement : Through the Wall      Mainframe Skins : No      Mainframe Exhaust Duct : No      Mainframe Facilities Connection : Back      Robot Type : HP Robot      Robot Blade : Ceramic      Loadlock Cassette : Narrow Body      Narrow body Loadlocks : Cassette Present Sensor      Loadlock Wafer Mapping : Basic      N2 Purge Type : STEC 4400MC 10 Ra Max      EXISTING GAS DELIVERY :      Gas Panel Surface Finish : Standard Gas Panel      MFC Type : STEC 4400MC 10 Ra Max      Valves : Fujikin 5 Ra Max      Filters : Pall Ni 10 Ra Max      Transducers : MKS w/ Display      Regulators : Veriflo      System Cabinet Exhaust : Top      Gas Panel Gas/Flow Direction Labels : Yes      APC Seriplex Cover : Yes      Gas Panel Doors : Solid      Gas Pallet Configuration :      Chamber A, B, C      Gas Stick/Process Gas/MFC size/Regulator/Transducer      #1 SiF4 100 Y Y      #2 O2 400 Y Y      #3 SiH4 200 Y Y      #4 Ar 300 Y Y      #5 SiH4 20 Y Y      #6 Ar 50 Y Y      #7 NF3 2000 Y Y      #8 Ar 2000 Y Y      REMOTES :      RF Generator Rack - Ultima Gen. Rack      ASTEX 80S09mW (3)      Quantity : Two      Ultima Stand-Alone RF Generator Rack : Yes      Generator Rack Cooling - RF Gen Rack Manifold with Quick Disconnect Ultima Gen Rack H20 Connection - Barbed Brass      Existing Heat Exchanger : SMC Thermo      Umbilicals :      System Controller Signal Cable Length : 55ft      RF Gen Rack Cable Length : 50ft      Ultima Stand-Alone Generator Rack : 98 ft      HX Hose Length : 50ft      HX Cable Length : 50ft      Pump Cable : 50ft      Ultima Microwave Generator Cable Length : 50 ft      Ultima WTM Cable Length : 32.8 ft (10m)      Vacuum Pumps, Exhaust Scrubber not included in sale Currently crated and stored      System Can be inspected 1999-2000 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura Ultima HDP CVD는 독점적 인 HWDP (Hot-Wall-Delivery-Plasma) 처리 챔버가있는 화학 증기 증착 (CVD) 원자로입니다. 이 원자로는 최적의 열 및 플라즈마 균일 성을 가진 다양한 물질의 화학 증기 증착 (chemical vapor deposition) 을 촉진하도록 특별히 설계되었습니다. 원자로는 화학 전구체를 사용하여 금속, 실리콘, 세라믹 등의 기질에 재료 층을 만듭니다. 이 원자로는 고밀도 플라즈마 보조 증착 (HDP) 의 매우 얇고 등각 층을 생성 할 수있는 능력으로, 반도체 포장 및 고급 상호 연결에서 생의학 및 나노 기술 관련 응용 분야에 이르기까지 다양한 응용 분야에 이상적인 도구입니다. AMAT Centura Ultima HDP CVD 원자로는 CVD 프로세스 동안 최대 균일성과 반복성을 제공하도록 설계되었습니다. HWDP 처리 챔버 (HWDP Processing Chamber) 의 설계는 핫 플라즈마 소스와 접촉하면 플라즈마 상태로 전환되는 전구체의 정확한 증발을 가능하게한다. 이 "플라즈마 '원 은 고도 의 균일성 을 가지고 있으며, 그 결과 로 생긴" 코우팅' 은 기판 전체 에 걸쳐서 일관성 있는 층 두께 를 가지고 있다. 또한 HWDP 챔버 (HWDP Chamber) 설계는 냉각이 필요하지 않으므로 향상된 레이어 밀도를 위해 높은 온도 조절이 가능합니다. 챔버 전체에서 온도 센서를 사용하면 레이어 균일성 (layer unifority) 및 특성 제어 (property control) 에 대한 정확한 온도 조절도 가능합니다. APPLIED MATERIALS Centura Ultima HDP CVD 원자로도 높은 처리량을 제공하도록 설계되었습니다. 가공 챔버 (processing chamber) 는 저압에서 작동하도록 설계되어 전구체의 높은 유속 (flow rate) 과 공정 제어 가스 (process control gase) 를 허용합니다. 이 높은 처리량 (high throughput) 을 활용하여 최고 수준의 프로세스 및 품질 관리 (quality control) 를 유지하면서 생산량 및 생산량을 극대화할 수 있습니다. Centura Ultima HDP CVD는 다양한 CVD 어플리케이션에 적합한 도구입니다. 반도체 포장을 위해 생의학 재료 및 나노 기술 (Nanotechnology) 에 고밀도 층을 만들 때이 원자로는 균일성 (Unifority) 과 반복성 (Repeatibility) 이 향상된 코팅의 증착을 촉진하기 위해 설계 된 기능입니다. 이 원자로는 레이어 두께, 온도, 균일성 (uniformity) 을 정확하게 제어해야 하는 응용 분야에 적합하며, 최첨단 기술을 위해 HDP 레이어를 증강할 수 있습니다.
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