판매용 중고 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura DPS+ #9233299
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ID: 9233299
웨이퍼 크기: 8"
빈티지: 2000
Poly etcher, 8"
Mainframe: Centura2
Chamber A, B & C:
DTCU: ES-DTCU
Gate & throttle valve: TGV, VAT
EDWARDS STP-A2203 Turbo pump
Pumping tube: Heated
ADVANCED ENERGY Altas 2012 Generator (Source)
ENI ACG-6B Generator (Bias)
ESC: Ceramic
Chamber D (ASP+):
Tuner: Auto tuner
Chamber E: Fast cool down
Chamber F: Orieter
Xfer: VHP
L/L: Narrow, heated, tilt-out
Hoist: Local hoist
Gas panel:
Chamber A, B & C:
Gas / Size / Model
Cl2 / 200sccm / 8161
HBr / 200sccm / 8160
Cl2 / 50sccm / 8160
NF3 / 100sccm / 8161
N2 / 20sccm / 8161
CF4 / 50sccm / 8161
SF6 / 50sccm / 8161
O2 / 100sccm / 8161
He / 20sccm / 8161
Ar / 200sccm / 8160
Missing parts:
Process chamber chiller & hose
(3) EPD
VDS
ASP+ Chamber:
Microwave generator
Gas panel
2000 vintage.
AMAT (APPLIED MATERIALS/APPLIED) MATERIALS AMAT/APPLIED CENTura DPS + 원자로는 박막 확산 및 증착에 사용되는 업계 최고의 중형 PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) 원자로입니다. 반도체 필름, 금속, 필름 및 기타 재료의 증착에 사용되는 확장 가능하고 자체 포함 된 도구입니다. AMAT Centura DPS + 는 사용자에게 친숙한 Active-Gas 및 Wafer-loading 구성을 제공할 수 있는 독보적인 기능입니다. 액티브 가스 모듈 (Active-gas module) 을 사용하면 주어진 압력에서 더 큰 일련의 가스를 선택하여 사용할 수 있으며, 보다 효율적이고 통제 된 증착 공정을 가능하게합니다. 또한 수동/자동 로드 (manual/automatic loading) 옵션을 사용하여 필요에 따라 서로 다른 웨이퍼 크기를 전환할 수 있습니다. 이러한 기능의 조합을 통해 사용자는 신속하게 프로세스를 조정하고, 특정 설계 요구 사항에 맞게 조정할 수 있습니다. 응용 재료 CENTURA DPS + 원자로는 또한 플라즈마 생성을위한 강력한 하이브리드 클러스터 소스를 특징으로합니다. 이 소스는 PECVD 프로세스의 단단한 온도, 압력 및 RF 전력 요구 사항을 충족시키는 고밀도, 단조로운 편광 플라즈마를 생성 할 수 있습니다. 이 하이브리드 클러스터 소스 (hybrid-cluster source) 는 자체 일관된 수학적 기술을 사용하여 플래시오버의 확률을 최소화하고 대상 기질의 일관되게 균일 한 범위를 보장하는 플라즈마를 생성합니다. APPLIED MATERIALS Centura DPS + 에는 모든 중요한 프로세스 매개변수를 정확하게 모니터링할 수 있는 정교한 진단 기능이 있습니다. 이 진단 프로그램 (Suite of diagnostics) 을 사용하여 모든 프로세스 매개변수가 사양 내에 있는지, 증착 프로세스가 제대로 실행되고 있는지 확인할 수 있습니다. 진단 제품군에는 RF 수준, 웨이퍼 온도, 증착률, 소스 전력, 압력 및 플라즈마 분포 측정이 포함됩니다. AMAT/APPLIED MATERIALS CENTURA DPS + 는 다양하고 사용하기 쉬운 원자로로, 안정적이고 반복 가능한 프로세스 제어를 제공 할 수 있습니다. 박막, 금속, 기타 재료의 증착을 선택, 사용자 정의, 제어할 수 있습니다. 강력한 하이브리드 클러스터 소스 (hybrid-cluster source), 사용자 친화적 액티브 가스 (active-gas) 및 웨이퍼 로딩 (wafer-loading) 구성, 정교한 진단 기능을 통해 여러 배치 간에 일관되고 안정적인 프로세스 제어를 제공할 수 있습니다.
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