판매용 중고 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura DPS II #293705866

AMAT/APPLIED MATERIALS Centura DPS II는 고성능 집적 회로를 처리하도록 설계된 단일 웨이퍼 UHV (Ultra-Vacuum) 증착 장비입니다. 이 시스템은 비용 효율적인 (cost-efficient) 생산에 최적화되어 운영 비용을 최소화하면서 빠른 주기, 높은 처리율을 제공합니다. 전자 사이클로트론 공명 (ECR) 플라즈마 소스, 원격 유도 결합 및 ECR 플라즈마 (RCP/ECP) 및 통합 소용돌이 주입기를 갖춘 원격 소스 가스 주입 (RSGI) 을 포함한 일련의 프로세스 모듈을 제공합니다. AMAT Centura DPS II UHV 증착 장치는 고급 반도체 장치의 저렴한, 대용량 생산을 위해 설계되었으며 질소 티타늄, 탄탈륨 및 기타 재료에 대해 최대 1nm/s의 증착율을 달성 할 수 있습니다. 기계 는 구성 이 잘 되어 있어서, "이온 '화 된 입자 의 근원 을 최대 2 개 에 추가 할 수 있다. 이 도구는 0.25 "~ 8" 의 다양한 기판 크기를 수용 할 수 있으며, 특정 금속 산화물, 유전체 및 장벽 재료의 프로세스 성능을 최적화하기 위해 개별 프로세스 매개 변수를 조정할 수 있습니다. 이 자산은 또한 빠른 프로세스 개발 및 프로세스 최적화를 위해 설계된 PCS (Process Control Model) 를 갖추고 있습니다. PCS (Real-Time Process Data Collection) 장비는 제품 일관성과 신뢰성을 보장하기 위해 프로세스의 다양한 지점에서 직접 데이터를 수집하는 실시간 프로세스 데이터 수집 장비로 최적화됩니다. 따라서 다운타임 없이 프로세스 매개 변수를 즉시 최적화하고 조정할 수 있습니다. APPLIED MATERIALS CENTURA DPS + II는 최신 기술을 갖추고 있으며 고해상도 4 포켓 선택 가능 단일 웨이퍼 전송 로봇, 전체 범위 컴퓨터 프로세스 제어, 동적 프로세스 창을 포함합니다. MSM (Multi-Stage Modulator) 시스템은 증착 과정 전반에 걸쳐 독립적 인 소스 가스 제어를 가능하게합니다. 또한, 고급 장치 구조에 대한 동시 원격 플라즈마 표면 처리를 통해 다양한 재료를 증착 할 수 있도록 최대 4 개의 플라즈마 공급원 (plasma source) 을 제공합니다. AMAT CENTURA DPS + II (AMAT CENTURA DPS + II) 는 높은 처리량과 탁월한 프로세스 제어를 제공하도록 설계되었으며, 제조업체는 장치당 가장 저렴한 비용으로 최고의 수준의 프로세스 품질 및 효율성을 제공할 수 있습니다. 업계 최고 수준의 단일 웨이퍼 (single-wafer) 프로세스 개발 솔루션을 제공하는 제품으로, 연구 및 개발, 대용량 생산이 가장 경제적인 방식으로, 고급 반도체 디바이스를 보다 빠르고 효율적으로 제작할 수 있습니다.