판매용 중고 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura 5200 #9145240

AMAT / APPLIED MATERIALS Centura 5200
ID: 9145240
웨이퍼 크기: 8"
CVD System, 8" 3 Ultima chambers.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura 5200은 플라즈마 에칭 기술을 사용하여 고 처리량 반도체 제조를 지원하는 고성능 유전체 에치 원자로입니다. 이 장비는 고급 유전체 재료 레이어에서 섬세한 기능을 제거하기 위해 고도로 조절 된 저온, 고밀도 플라즈마 환경을 제공합니다. 이 시스템은 최대 5 Torr 의 프로세스 압력을 달성 할 수있는 고성능 진공실로 구성됩니다. 이 챔버는 RF 전원 공급 장치 (RF Power Supply) 로 구동되어 유전층에서 복잡한 구조를 통해 고밀도 플라즈마 (Plasma) 를 만들 수 있습니다. 방의 설계는 또한 신속한 대피를 가능하게하며, 단위는 빠른 처리 시간 (process time) 과 향상된 수율을 달성 할 수 있습니다. 독자적 인 "가스 '주입 기계 는 여러 가지 유전체 물질 형태 의" 플라즈마' 에칭 '에 도움 이 되는 "가스' 의 혼합물 을 만들 수 있다. "플라즈마 '의 힘 과 약실 의 온도 와 결합 된" 가스' 의 혼합물 을 조절 함 으로써, 이 도구 는 가장 까다로운 유전층 들 중 일부 를 통하여 "에칭 '할 수 있다. 이 프로세스는 HROS (High Resolution Optical) 및 섀도우 마스크 시스템과 같은 비 자산 구성 요소로 더욱 향상되었습니다. 이를 통해 최소한의 왜곡으로 고해상도 (high resolution) 기능을 생성할 수 있습니다. 즉, 유전체 레이어 (dielectric layer) 제작과 관련된 미세 조정 프로세스에 필수입니다. 플라즈마 에칭 프로세스 외에도 챔버 (Chamber) 는 저항 스트리핑 프로세스와 호환되는 환경을 제공합니다. 이것 은 "레지스트 '물질 을 제거 하여, 고급 반도체 장치 제조 에 중요 한 금속 및 유전체 부품 의 정확 한 형성 을 가능 케 한다. AMAT Centura 5200은 섬세한 유전층을 불러오는 매우 정확하고 일관된 프로세스를 제공합니다. 이 모델은 첨단 기술 (Advanced Technologies) 과 정확한 제어 (Precise Control) 를 결합하여 품질을 저하시키지 않고 향상된 프로세스 수익률과 처리량을 제공합니다. 이 장비는 현대 반도체 제작 공정의 발전에 중요한 도구입니다.
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