판매용 중고 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura 5200 Phase I #9133092
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ID: 9133092
Oxide etcher, 8"
Wafer shape: JMF
Chamber Type/ Location Selected Option
System Configuration BASE
Position A Oxide Main Etch
Position B Oxide Main Etch
Position C Oxide Main Etch
Position F ORIENTER
Position A Configuration Oxide Main Etch
Position B Configuration Oxide Main Etch
Position C Configuration Oxide Main Etch
Position D Configuration
System Safety Equipment Selected Option
EMO Switch Type TURN TO RELEASE EMO ETI COMPLIANT
EMO Guard Ring INCLUDED
Smoke Detector At MF No Skin YES
Smoke Detector At Gen Rack YES
Smoke Detector At AC Rack YES
Water and Smoke Detector ALARM
System Labels ENGLISH
CHA - CHA - OXIDE
Chamber Options Selected Option
Process Kit USED
Turbo Pump Seikoseiki 301
Emission Endpoint Type Monocro
Oxide ESC USED Flat
BIAS RF GEN OEM-28B
MxP Oxide Throttle Butter fly
MxP Oxide Gate Valve VAT
CHB - CHB - OXIDE
Chamber Options Selected Option
Process Kit USED
Turbo Pump Seikoseiki 301
Emission Endpoint Type Monocro
Oxide ESC USED Flat
BIAS RF GEN OEM-28B
MxP Oxide Throttle Butter fly
MxP Oxide Gate Valve VAT
CHC - CHC - OXIDE
Chamber Options Selected Option
Process Kit USED
Turbo Pump Seikoseiki 301
Emission Endpoint Type Monocro
Oxide ESC USED Flat
BIAS RF GEN OEM-28B
MxP Oxide Throttle Butter fly
MxP Oxide Gate Valve VAT
Gas Delivery Options
Pallet Options Selected Option
Valve Fujikin
Regulator Fujikin
Gas Panel Pallet A Gas Panel Pallet A
Gas Line Requirement Selected Option
Pallet Pallet
Gas Line Configuration Selected Option
Pallet Corrosive Gas Line Qty 3
Pallet Inert Gas Line Qty 5
Filter Qty 8
Gas Panel Pallet B Gas Panel Pallet B
Gas Line Requirement Selected Option
Pallet Pallet
Gas Line Configuration Selected Option
Pallet Corrosive Gas Line Qty 3
Pallet Inert Gas Line Qty 5
Filter Qty 8
Gas Panel Pallet C Gas Panel Pallet C
Gas Line Requirement Selected Option
Pallet Pallet
Gas Line Configuration Selected Option
Pallet Corrosive Gas Line Qty 3
Pallet Inert Gas Line Qty 5
Filter Qty 8
Gas Panel Features Gas Panel Features
Gas Panel Features Selected Option
Gas Panel Controller VME I
Mainframe
General Mainframe Options Selected Option
Facilities Type REGULATED
Facilities Orientation MAINFRAME FACILITIES BACK CONNECTION
Loadlock/Cassette Options Selected Option
Loadlock Type NBLL W/ AUTO-ROTATION
Loadlock Cover Finish ANTI-STATIC PAINTED
Loadlock Slit Valve Oring Type VITON
Wafer Mapping STD
Wafer Out of Cassette Sensor YES
Cassette Present Sensor YES
Transfer Chamber Options Selected Option
Transfer Ch Manual Lid Hoist YES
Robot Type CENTURA HP ROBOT
Wafer On Blade Detector BASIC
Loadlock Vent BOTTOM VENT
Front Panel Selected Option
Front Panel ANTI-STATIC PAINTED
Signal Light Tower 4 COLOR SIGNAL LIGHT TOWER INCLUDING RED LIGHT
4 Color Signal Light Tower Configuration Selected Option
Top Light Color RED
Second Light Color YELLOW
Third Light Color GREEN
Fourth Light Color BLUE
Signal Light Tower Buzzer ENABLED
Second Signal Light Tower YES
Remote
System Controller Selected Option
Controller Type 86 INCH COMMON CONTROLLER
Cntrlr Electrical Interface BOTTOM FEED
Controller Exhaust TOP EXHAUST
Controller Cover Option YES
System Monitors Selected Option
System Monitor 2 TTW / different cable lengths
Monitor Cursor 2 BLINKING CURSOR
AC Rack Selected Option
GFI 30mAMP
AC Rack Types 84 INCH SLIM AC GEN RACK
Exhaust Collar 84 INCH SLIM RACK EXHAUST COLLAR
Umbilical Selected Option
Ctrlr to Mainframe Umbilical 25Ft
HX Control Cable Length 50Ft
Heat Exchanger Hose Length 65Ft
Pump Cable Length 65Ft
RF Generator Cable 65Ft
Pump Interface Only Selected Option
Pump Interface Qty Interface Only.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura 5200 Phase I은 반도체 제조를 위해 설계된 원자로입니다. 56MHz RF 소스를 갖는 SiH4/NH3/DOP 엔드 포인트 에치가 있으며, 삼염화 인 (PCl3) 기반 에치 모듈과 함께 8.5 미크론까지 에치 깊이를 낼 수 있습니다. 챔버 (chamber) 는 스테인레스 스틸 (stainless steel) 로 구성되며 에친트/공정 호환성을 향상시키기 위해 낮은 온도 작동이 가능합니다. 원자로에는 공정 제어 상자 (process control box) 와 챔버 적재 및 하역을위한 별도의 에어 록 (airlock) 이 제공됩니다. AMAT Centura 5200 Phase I에는 대규모의 내부 가열 가스 타이트 공정 챔버가 있습니다. 이 약실 은 "에칭 '하는 동안 입자 와" 에칸트' 시약 이 "웨이퍼 '에 들어가지 않도록 설계 되었다. 최대 5.08cm (2 인치) 및 8000 lb (3.63 톤) 의 반도체 웨이퍼를 수용 할 수 있습니다. 챔버에는 진공 장비와 편향 배플이있는 배기 굴뚝 (exhaust chimney) 이 있어 균일 한 에칭과 낮은 뒷면 오염을 보장합니다. 내장형 엔드 포인트 컨트롤러는 챔버 내부의 압력, 가스 전달 시스템 (gas delivery system) 의 상태, 전원 공급 장치 마그네트론 (magnetron) 의 전류 (current) 를 측정하여 에칭 프로세스를 모니터링합니다. 프로세스 챔버에는 프로세스 일관성 및 성능 향상을 위해 ATCM (Automatic Temperature Compensation Module) 도 포함되어 있습니다. ATCM의 범위는 180 ° ~ 260 ° C이며, 다양한 프로세스 최적화 조정을 제공합니다. 또한 사용자 선택 가능 매개변수를 사용하여 프로세스 매개변수를 최적화할 수 있는 유연한 온도 제어가 있습니다. 종단점 에치 (end-point etch) 프로세스는 에치 깊이를 효율적이고 정확하게 제어하도록 설계되었습니다. APPLIED MATERIALS Centura 5200 Phase I에는 전체 파형 프로세스 제어 장치를 갖춘 자체 튜닝 56 MHz RF 전원이 있습니다. 이 기계 는 연산자 가 여러 가지 "에치 '깊이 의" 웨이퍼' 를 에치 '할 수 있게 해 주며 또한 "웨이퍼' 의 손상 과 상처 를 방지 하는 데 도 도움 이 된다. 마지막으로, Centura 5200 Phase I 는 안전하고, 안정적이며, 반복 가능한 프로세스를 제공하여 완벽한 결과를 얻을 수 있도록 설계되었습니다. 오류의 발생 시 운영자에게 경고하기 위한 안전성 (Safety) 기능이 내장되어 있습니다. 또한 유지 보수 및 문제 해결 기능이 내장되어 있어 쉽게 분석하고 문제를 해결할 수 있습니다. 따라서 AMAT/APPLIED MATERIALS Centura 5200 Phase I은 반도체 웨이퍼의 효율적인 생산에 이상적인 자산입니다.
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