판매용 중고 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura 5200 Epi #9034366

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ID: 9034366
System, 8" (3) Selective Epi chambers RP Process: SEG (Selective Epitaxial Growth) Software version: B6.40 Wafer shape: SNNF (Semi Notch No Flat) Wafer cassette: 8" PEEK Miraial Wafer transfer: Robot: HP+ENP, Wafer centering: On the fly SMIF Interface: No System configuration: Chamber A; SEG Chamber B: SEG Chamber C: N/A Chamber D: N/A Chamber F: Single cool down Chamber A, B, and C: Manometer: MKS (1 Torr, 100 Torr, 1000 Torr) Clean type: HCI Clean RGA Port: Yes (connection port to the foreline) (2) Pyrometers (upper/lower): Iron: MR-T399-99C, K118 (AMAT: 0090-35052) Gas Pallet Configuration: Gas name: MFC size H2/N2 (H2 Main): H2: 100 L H2/N2 (H2 Slit): H2: 20 L HCl: HCl: 300 cc SiH4: SiH4: 1 L GeH4: H2: 500 cc Direct-Dopant 1: H2: 300 cc Mixed-Dopant: H2: 300 cc SiH2Cl2: SiH2Cl2: 1 L Direct-dopant 2: H2: 300 cc Gas Delivery: MFC: Type: Unit (C8100AF, C3101AF) Valves: Veriflo Rim pressure compressor: Pump CPRSR air with RSVR 1 MPA Filters: Pall Teflon filter Transducers: Measurement: MKS 852861PCH2GD, Display: MKS LDM-14793 Regulators: Veriflo Parker Coating: SUS316EP Single line drop (SLD): No System cabinet exhaust: Top and side (3) H2 Leak detector: Control Inst: SNT476-1000 ppm-H2 (AMAT: 0820-01021 (1)System controller: Remote AC Controller Transformer: N/A (480 V Direct connection) Chamber process kit: Quartz, carbon parts QTY | AMAT P/N | Parts Name (1) 0200-36727 SUSCEPTOR, 200MM EPI W/O CENTER TOSHIB (1) 0200-35081 RING, PREHEAT GRAPHITE BETA COATING (4) 0200-36642 PIN, 200MM EPI WAFER LIFT (LIFT+LINER LOCK PIN) (3) 0200-00207 TIP, SUSCEPTOR SHAFT OUTSIDE (1) 0200-35007 DOME, UPPER RP (1) 0200-35042 DOME, LOWER QTZ W/BALL (1) 0200-35162 LINER, CHMBR UPPER BRKT/CEN (25x) (1) 0200-35161 LINER, CHMBR LOWER BRKT/CEN (25x) (2) 0200-35916 INSERT, INJECT 3 ZONE QTZ (25x) (2) 0021-00571 INSERT,EXHAUST SST (1) 0200-35159 BAFFLE, INJECT 3 ZONE (25x) (1) 0200-00412 SHAFT, SUSCEPTOR W/RMVBL PINS NO CEN EPI (1) 0200-35424 LIFT, WAFER 8" POLY QUARTZ Foreline heater: Heater jacket from tool to pump 4", temp controller (not included in scope) Dry pumps: Stored inside of Helios Zenith (not included in scope) Load lock: iL70N New Look Transfer: iL70N New Look Chamber A: iH-35SE Chamber B: iH1000 Chamber C: iH1000 Gas abatement: (not included in scope) (1) Boc Edwards Helios Zenith (1) Kurita water circulation unit Full load current: 280 A Maximum system rating: 87 KVA Ampere rating of largest load: 100 A Interrupting current: 10,000 Amps I.C. 480 VAC, 3-Ph, 50/60 Hz, 4-Wires 2003 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura 5200 Epi는 얇은 다결정 물질을 기판에 퇴적시키는 데 사용되는 현대적인 반도체 처리 도구입니다. 이 원자로는 epitaxy, strained layer heterosstructure, high-mobility buffer layers, dislocation mitigation, low defect device layers 등 다양한 epi-processing 애플리케이션에 적합합니다. AMAT Centura 5200 Epi는 대기 챔버 및 압력 제어 장비를 사용하여 situ epitaxial 성장의 고온을 유발합니다. 이 원자로는 반응 환경 및 공정 상태를 안전하게 제어하는 고정밀 시스템을 제공합니다. 기판에 대한 zone-by-zone 온도 제어가 장착 된 저압 석영 듀얼 챔버 디자인이 특징입니다. 이것은 재생성과 균일 한 에피 택시 성장을 보장합니다. 응용 물질 센츄라 5200 에피 (Centura 5200 Epi) 는 챔버에 도입 된 반응물 가스의 정확하고 안정적인 제어를 위해 설계된 연료 전달 장치를 제공합니다. 리모콘 (remote-sensing) 질량 흐름 컨트롤러 (mass-flow controller) 를 장착하여 압력을 지속적으로 조정하여 다양한 압력에 대한 정확한 가스 흐름 및 조성을 유지합니다. 이 기계는 오염 물질과 불순물이 원자로 실에 들어가는 것을 방지합니다. Centura 5200 Epi에는 연동 바이 패스 밸브 및 압력 모니터링 도구도 포함되어 있습니다. 따라서 자산을 자주 유지 관리할 필요가 없습니다. 또한 고급 퍼지 패널에는 2 단계 난방 모델이 있습니다. 이것은 효율적인 온보드 가소기 제거 및 입자 제어 장비를 제공합니다. 이를 통해 프로세스 가스 안정성이 향상되고 프로세스 균일성이 향상됩니다. AMAT/APPLIED MATERIALS Centura 5200 Epi는 강력한 빠른 응답 난방 및 냉각 시스템으로도 설계되었습니다. 이 메커니즘은 500 ° C 및 700 ° C의 온도에서 정확한 온도 제어를 보장합니다. 고온 컨트롤러는 정확하고 반복 가능한 프로세스 성능을 위해 정확한 온도 균일성을 제공합니다. AMAT Centura 5200 Epi는 다양한 최신 반도체 제조 요구를 충족하도록 설계된 고급적이고 정교한 epi-processing 도구입니다. 이 제품은 다양한 EPI (Epi-Processing Application) 에서 균일성과 신뢰성을 제공하여 현대 반도체 제조업체에 이상적인 툴입니다.
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