판매용 중고 AMAT / APPLIED MATERIALS 0010-03254 #293763796
URL이 복사되었습니다!
확대하려면 누르십시오
ID: 293763796
웨이퍼 크기: 8"
MCA E-Chuck assembly, 8"
Bellows leak: 1 x 10E-9 cc/s, He
Helium line leak: 1 x 10E-9 cc/s, He
SUS Cover leak: 1 x 10E-9 cc/s, He
ESC:
Pad dimple height: 3 Microns
Depth of groove: 59 microns
Luminosity: 160-170
Flatness of WF Zone: 0.04-0.05 µm
Cables and resistivity:
Resistivity of electrodes: 1-2: 17.8 Ω
Resistivity of electrodes: 3-4: 4.9 Ω
TC 1: 10.2 Ω
TC 2: 8.7 Ω
Chucking test (±300 V / Bi-polar type):
600 V 1st(-): 300 V
600 V 2nd(+): 300 V
90° (No sliding).
AMAT/APPLIED MATERIALS 0010-03254 Reactor는 반도체 제조 공정 및 관련 microfabrication 응용 프로그램에 사용하도록 설계된 고급 이온 착상 장비입니다. 이 시스템은 정밀 이온 소스 어셈블리와 이온 빔 방향 (ion beam direction) 과 스팟 크기 (spot size) 를 제어하기위한 이온 빔 공준이있는 고 진공 챔버로 구성됩니다. 이온 빔은 RF 전원 공급 장치로 가속 된 다음 샘플 스테이지에 중점을 둡니다. 챔버는 인트라카비티 터보 펌프 및 게이트 밸브로 대피하고 활성화 할 수 있습니다. AMAT 0010-03254 Reactor에는 광범위한 프로세스 매개 변수를 정확하게 제어 할 수있는 이온 소스 기술이 포함되어 있습니다. 소스의 활성 고에너지 요소는 향상된 안정성, 프로세스 안정성, 빠른 시동 (start up) 을 제공하며 저온 및 고에너지 프로세스에 이상적입니다. 안정적인 전기 방전은 소스 종을 이온화하고 양극성 RF 소스를 사용하여 이온 에너지를 제어합니다. 소스 가열 원소는 소스 종을 정확하게 원자 화하고 해리시키고, 가스 밸브 (gas valve) 는 소스 종의 유속, 압력 및 조성을 제어하는 데 사용될 수있다. 이온의 에너지 확산은 두 개의 독립적 인 격자에 의해 제어됩니다. APPLIED MATERIALS 0010-03254 Reactor에는 각도 및 비행 시간 스캔과 이온 빔 특성화를위한 추출 가능한 빔 전류 측정으로 구성된 빔 진단 장치가 포함되어 있습니다. 컴퓨터 제어 샘플 단계 (옵션) 는 가공소재 배치에 사용할 수 있으며, 스캔 임플란트 및 X, Y 평면 샘플 이동을 활성화하여 정밀한 용량 제어를 할 수 있습니다. 기계는 또한 빠른 대피를위한 독립적 인 엔드 펌프를 포함합니다. 마그네트로닉 멀티 폴 (Magnetronic multipole) 은 빔 포커싱에 사용되며 고 전자 메일 각도 및 저에너지 각도에 맞게 조정할 수 있습니다. 0010-03254 원자로 (Reactor) 는 단일 웨이퍼 (single wafer) 및 배치 모드 (batch mode) 를 포함한 여러 모드에서 작동 할 수 있으며 모든 종의 이온을 이식하는 데 사용될 수 있습니다. 이 도구는 최대 2 밀리 암프의 전류, 조절 가능한 바이어스 전압 및 활성 소스 온도 범위 (0-980 ° C) 를 제공합니다. 에셋은 여러 웨이퍼를 포함한 모든 샘플 크기/모양을 수용 할 수 있으며, 압력은 10-3 ~ 10-7 torr 범위입니다. 최대 빔 에너지는 50 ~ 500 keV이며 고급 프로세스 모니터링 및 기계 작동 기능을 제공합니다. AMAT/APPLIED MATERIALS 0010-03254 Reactor는 다양한 중요한 반도체 제작 프로세스를 수행하는 매우 효율적이고 고급 모델입니다.
아직 리뷰가 없습니다