판매용 중고 AIXTRON G3 #9202634

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AIXTRON G3
판매
제조사
AIXTRON
모델
G3
ID: 9202634
빈티지: 1994
MOCVD System AlGaAs Laser 1994 vintage.
AIXTRON G3는 최첨단 분자 빔 에피 택시 (MBE) 원자로입니다. AIXTRON에 의해 제작 된이 원자로는 일련의 MBE 시스템 중 최신 원자로 중 하나입니다. AIXTRON G 3 원자로는 III-V 반도체를 포함한 다양한 결정질 물질의 고정밀 성장을 촉진하도록 설계되었습니다. G3 원자로는 두 가지 주요 구성 요소, 즉 공정 챔버와 스로틀 밸브로 구성됩니다. 공정 챔버 (process chamber) 에는 소스 재료가 있으며 분자 빔 에피 택시 (molecular beam epitaxy) 가 발생하는 사이트입니다. 실내에는 일련의 내부 배플 (baffle) 과 증발기 (evaporator) 가 있는데, 이는 소스 재료의 배출을 제어하는 데 도움이됩니다. 스로틀 밸브 (throttle valve) 는 공정 챔버 (process chamber) 에 전달되는 가스의 양을 조절하며, 공정 챔버 내부의 압력이 조절되는 수단이기도합니다. G 3 원자로에는 고정밀 재료 성장에 적합한 몇 가지 고급 기능이 장착되어 있습니다. 이러한 기능에는 에피택셜 필름 (epitaxial film) 의 품질을 모니터링하는 고급 입자 계산 시스템 (advanced particle counting system) 과 온도 및 유속 (flow rate) 을 정확하게 제어 할 수있는 환경 제어 시스템이 포함됩니다. 트랜지스터 형상 설계는 제품 오염 위험을 최소화하는 데 도움이됩니다. 또한, AIXTRON G3 원자로는 고객의 요구에 맞게 다양한 방법으로 사용자 정의 할 수 있습니다. 여기에는 추가 엔드포인트 (end-point) 탐지기 추가와 추가 컴포넌트 및 안전 기능이 포함됩니다. AIXTRON G 3 원자로는 또한 실리콘, 갈륨 비소, 갈륨 질화물 및 다양한 III-V 재료를 포함한 다양한 기질에서 고품질 샘플을 생성 할 수 있습니다. 결론적으로, G3는 많은 고급 기능을 가진 최첨단 MBE 원자로입니다. 이 제품은 다양한 기판에 고정밀 (high-precision) 재료를 생산할 수 있도록 설계되었으며 고객의 요구에 맞게 사용자 정의할 수 있습니다. 이는 최고 품질의 결정질 (crystalline) 재료를 생산할 때 이상적인 선택입니다.
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