판매용 중고 AIXTRON G3 #9066893
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판매
ID: 9066893
웨이퍼 크기: 4"
MOCVD Systems, 4"
LED for GaN
Wafer Size : 4" x 8 , 2" x 24
Epi-tune: In-situ reflectance spectra
Gas: N2 / H2 / HCL / SiH4 / NH3
Source: TMGa, TEGa, Cp2Mg, TMIn, TMAl
Gas System:
Gas line: VCR type
MFC: Bronhost
Carrier gas: H2 flow 70L/min; N2 flow 70L/min
Vacuum System:
Process pump: Ebara ESA25D
Filter: exhaust gas filter with separate water cooling unit
Pressure control: MKS651 controller, throttle valve
Includes:
GMS Cabinet
Reactor cabinet
Exhaust and chamber
Scrubber
RF Generator
Particle filter
Pump
Software OS; Window
Voltage: 208 V AC, 3-Ph
Power: System: 25 kVA, Heater: 144 kVA
Frequency: 50/60 Hz
Cooling system:
Cooling liquid: Water
Max. inlet pressure: < 6 bar
Differential pressure: > 4 bar
Inlet temperature: < 25º C
Outlet temperature: < 65º C
2005-2007 vintages.
AIXTRON G3는 고급 기능 물질을 성장시키기 위해 설계된 화학 증기 증착 원자로입니다. AIXTRON G 3 공정 챔버 (process chamber) 는 이동성이 높은 금속, 유전체 및 반도체를 포함한 광범위한 재료의 성장에 적합하며, 다양한 고급 기술, 특히 높은 공정의 유연성, 다양한 가스 제어, 매우 직관적인 사용자 인터페이스를 갖추고 있습니다. AIXTRON G3프로세스 챔버는 선형 구성으로 최대 4 개의 웨이퍼를 수용 할 수 있으며, 단일 기판 홀더로 최대 8 개의 웨이퍼 (6 인치 또는 4 인치) 를 수용 할 수 있습니다. "G3 '의 유연성 은" 알루미늄' 에서 "실리콘 '에 이르는 여러 가지 물질 을 광범위 한" 웨이퍼' 형태 로 성장 시킬 수 있게 해 준다. 웨이퍼 온도 범위는 III-V, 전이-금속-산화물 및 금속의 성장에 대한 실내 온도에서 섭씨 500도입니다. G 3은 3 중 벽 구조의 수동 이온 펌프 펌프 다운 시스템을 갖추고 있으며, 이는 외부 소스에서 오염을 방지합니다. 또한 다중 영역 온도 제어 (multi-zone temperature control) 및 온도 모니터링 가스 흐름을 제공하여 독립적 인 프로세스 제어 및 증발 물질의 독립적 인 온도 제어를 허용합니다. 사용자가 성장 조건을 정확하게 제어할 수 있도록 모든 프로세스 매개변수를 조정할 수 있습니다. AIXTRON G3에는 잘 정리되고, 이해하기 쉽고, 그래픽 사용자 인터페이스 (GUI) 를 제공하는 고급 사용자 친화적 소프트웨어 패키지가 포함되어 있습니다. 이렇게 하면 복잡한 프로세스나 프로그램에 대해 걱정하지 않고, 사용자가 편리하게 프로세스를 제어할 수 있습니다. 소프트웨어 패키지는 또한 모든 안전 코드 (Safety Code) 를 통합하여 프로세스의 안전한 작동과 기판의 최대 보호 (Protection) 를 보장합니다. AIXTRON G 3 (AIXTRON G 3) 은 높은 수준의 정밀도로 광범위한 웨이퍼 유형에서 다양한 재료를 성장시키는 데 적합합니다. 연구 및 산업 응용을위한 효과적인 도구로 사용될 수 있습니다. 최첨단 기술인 이 기술은 첨단 소재 (advanced materials) 를 만들 수 있는 독보적인 기회이며, 다양한 어플리케이션에 대한 고성능 제품 개발의 한 단계 앞서가는 기회를 제공합니다.
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