판매용 중고 AIXTRON G3 2600 #9111425
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판매
ID: 9111425
웨이퍼 크기: 4"
MOCVD Systems, 4"
LED for GaN
Wafer size : 4" x 8 , 2" x 24
Heating type: RF induction heater
Epi-tune: In-situ reflectance spectra
MO Source: TMGa, TEGa, Cp2Mg, TMIn, TMAl
Software OS: Window
Gas system:
Gas line: VCR type
MFC: Bronhost, N2 / H2 / HCL / SiH4 / NH3
Carrier gas: H2 flow 70L/min; N2 flow 70L/min
Vacuum system:
Process pump: Ebara ESA25D
Filter: exhaust gas filter with separate water cooling unit
Pressure control: MKS651 controller, throttle valve
Cooling system:
Cooling liquid: Water
Max. inlet pressure: < 6 bar
Differential pressure: > 4 bar
Inlet temperature: < 25º C
Outlet temperature: < 65º C
Includes:
GMS Cabinet
Reactor cabinet
Exhaust and chamber
Scrubber
RF Generator
Particle filter
Pump
208 V, 3 Ph, 50/60 Hz
Currently warehoused
2002-2007 vintages.
AIXTRON G3 2600은 나노 구조 및 나노 복합 박막 생산을 위해 설계된 고급 HWCVD (Hot-Wall Chemical Vapor Deposition) 원자로입니다. 이 고급 CVD 원자로에는 가스 유량, 압력, 온도, 기타 등 여러 증착 매개변수를 제어 할 수있는 모듈 식 디자인이 있습니다. 또한 석영 공정 튜브 및 고출력 RF (Radio Frequency) 발전기를 장착하여 원자 종 조작을 허용합니다. G3 2600 은 나노미터 (nanometer) 스케일까지 정밀하게 재료를 증착할 수 있으며, 고품질의 박막 (thin film) 을 생산할 수 있습니다. 모듈 식 설계를 통해 가스 유량, 압력, 온도 및 기타와 같은 증착 매개변수의 제어 및 조정이 가능하므로 정확성과 재현성이 보장됩니다. 뿐 만 아니라, 이 장치 는 여러 가지 증착 조리법 을 "컴퓨터 '" 시스템' 에 저장 할 수 있도록 설계 되어 있으며, 따라서 박막 을 빠르고 효율적 으로 생산 할 수 있다. 또한 AIXTRON G3 2600은 쿼츠 보호 스테인리스 스틸, 사용자 친화적 인 터치 스크린 컨트롤 패널, 인체 공학적 디자인, 청소실 호환 부품 등 여러 가지 고급 기능을 제공합니다. 또한, G3 2600은 또한 고출력 RF 생성기 (최대 76MHz) 와 가열 석영 공정 튜브를 특징으로하며, 둘 다 성장하는 필름의 정확한 제어를 가능하게합니다. 이 고급 설계는 원자로를 특히 양자 재료 및 나노 컴포지트 필름의 증착에 적합하게 만듭니다. 고출력 RF 발전기 (HF Generator) 덕분에, 사용자는 공정 튜브 내에서 원자 및 이온 종을 조작 할 수 있으며, 이를 통해 증착 속도와 필름 구성을 정확하게 제어 할 수 있습니다. 요약하자면, AIXTRON G3 2600은 정확성과 정확도를 가진 나노 구조 및 나노 복합 박막 (nanocomposite thin film) 을 생산하도록 설계된 고급 CVD 원자로입니다. 모듈식 디자인, 인체 공학적 기능, RF 생성기 (RF Generator) 및 쿼츠 공정 튜브 (Quartz Process Tube) 와 같은 고급 기능을 통해 다양한 어플리케이션에 적합한 옵션을 선택할 수 있습니다.
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