판매용 중고 AIXTRON Crius II #9272517

AIXTRON Crius II는 반도체 웨이퍼의 고정밀 생산을 위해 설계된 고급 에피 택시 성장 원자로입니다. 혁신적인 이중 소스 증착 (dual-source deposition) 방식을 사용하는 이 장비는 결함이 없는 이종 구조 장치를 제작하는 매우 정확하고 안정적인 방법을 제공합니다. Crius II는 입구 소스, 성장 구역 및 기판으로 구성된 육각형, 3 구역 챔버를 사용합니다. 입구 소스는 고효율 가스 흐름 시스템과 최적화 된 기판 조사 소스를 결합합니다. "가스 '흐름 장치 는 정밀 하고 제어 된 압력 으로 전구체 분자 의 균일 한 공급 을" 성장 지대' 로 전달 하는 데 사용 된다. 기질 조사 원 (substrate irradiation source) 은 기질의 모든 부분이 들어오는 전구체 분자의 화합물 기여에 균일하게 노출되도록 보장한다. 성장 지대 (Growth Zone) 에는 신중하게 조작 된 열 라이너 (Thermal Liner) 를 통해 원하는 성장 온도로 가열되는 고정밀 회전 웨이퍼 캐리어가 장착되어 있습니다. 그런 다음이 온도는 프로세스 전체에서 유지되어 최대 균질성을 보장합니다. 기판은 또한 이중 밀봉 디자인을 사용하여 일정한 온도로 유지됩니다. 결합된이 두 가지는 분자의 결정 조성을 균일하게 stampotron에 접근하여 epitaxial 성장을 시작합니다. AIXTRON Crius II는 또한 최첨단 컴퓨터 모니터링 기계를 사용합니다. 이 도구는 확장 챔버 (Growth Chamber) 와 제어 장치 (Control Unit) 의 데이터를 모두 캡처하여 운영 프로세스에 대한 실시간 개요를 유지할 수 있습니다. 프로세스 매개변수 (process parameter) 규정 준수를 위해 이 데이터를 모니터링하고 프로세스 중단 (interruption) 또는 고장 (breakdown) 시 운영자에게 경고할 수 있습니다. 또한, 데이터를 사용하여 프로세스 보고서를 생성하고, 시간이 지남에 따라 전반적인 자산 성능을 추적할 수 있습니다. Crius II (Crius II) 는 고급 프로세스 기술을 활용하여 결함 비율이 매우 낮은 웨이퍼를 생산하는 매우 안정적이고 정확한 방법을 제공합니다. 이 모델은 MEMS, 광전자 부품, 새로운 반도체 소자에 이르기까지 다양한 응용 분야에 널리 채택되었습니다.