판매용 중고 AIXTRON Crius II #293831257

제조사
AIXTRON
모델
Crius II
ID: 293831257
웨이퍼 크기: 4"
빈티지: 2011
MOCVD System, 4" Gases: PN2: Tube size: 3 / 8" Pressure (psi): 80 ∼ 100 Flow rate: 100 L H2: Tube size: 1 / 4" Pressure (psi): 60 ∼ 100 Flow rate: 100 L H2 in N2 (10%): Tube size: 1 / 2" Pressure (psi): 100 ∼ 120 SiH4 in H2 200ppm: Tube size: 1 / 4" Pressure (psi): 40 ∼ 50 Flow rate: 0.1 L NH3: Tube size: 3 / 8" Pressure (psi): 40 ∼ 50 Flow rate: 50 L MO Sources: TMGa TMAL Cp2Mg TMI and TEG Components: Dry pump 2011 vintage.
AIXTRON Crius II는 박막 증착 및 반도체 처리에 사용되는 화학 증기 증착 원자로 (CVD) 입니다. 고급 재료 연구 및 장치 제작을위한 고품질 필름을 제공하도록 특별히 설계되었습니다. 원자로는 한 번에 최대 2 개의 웨이퍼를 지원하는 단일 웨이퍼 대기 압력 장비입니다. 0.7 ~ 2 Torr의 저압과 50 ~ 500 ° C의 고온 범위를 제공합니다. Crius II는 여러 모듈과 구성 요소로 구성되어 있습니다. 두 개의 기본 모듈은 로드 잠금 시스템과 주 챔버입니다. 로드 잠금 장치는 웨이퍼를 고정하고 증착 프로세스 동안 보호를 제공합니다. 주 챔버 (main chamber) 는 가스와 압력으로부터 웨이퍼를 보호하는 원형 챔버입니다. 또한 외부 오염을 방지하고 최적의 증착 환경을 유지합니다. AIXTRON Crius II에는 웨이퍼 운송 기계 (wafer transport machine) 도 포함되어 있습니다. 웨이퍼 전송 도구 (wafers transfer tool) 에는 컨베이어 벨트 및 챔버 내에서 웨이퍼를 움직이는 푸셔가 장착되어 있습니다. 크리 우스 2 세 (Crius II) 는 컴퓨터의 자산으로 구동되며, 모델의 압력과 온도, 반응물의 흐름, 증착 과정의 타이밍을 제어합니다. 이를 통해 사용자는 특정 요구사항에 맞도록 온도 (temper), 압력 (pressure) 등의 매개변수를 조정할 수 있습니다. AIXTRON Crius II는 또한 자동화 장비를 갖추고 있으며, 이를 통해 사용자는 설정을 프로그래밍 할 수 있습니다. 이 자동화 시스템 (Automation System) 은 증착 과정의 복잡성을 줄여 더욱 효율적입니다. Crius II의 고급 디자인은 효율적이고 빠른 증착을 위해 설계되었습니다. 첨단 증착 (advanced deposition) 기술이 적용되어 필름이 정확하고 일관되게 퇴적됩니다. 여러 증착 기술을 지원하며 고급 증착실 (pre-deposition chamber) 이 있으며 증착을 위해 웨이퍼를 준비합니다. 이것은 메인 챔버에서 균일 한 화학 증착을 보장하여 고품질 필름을 생성합니다. AIXTRON Crius II는 또한 사용자 친화적으로 설계되었습니다. 커다란 컬러 터치스크린 디스플레이 (touch-screen display) 를 통해 사용자가 직접 전면 (front side) 에서 장치를 제어할 수 있습니다. 화면상의 메뉴를 사용하면 장치를 제어하고 배치를 쉽게 실행할 수 있습니다. 결론적으로, Crius II는 고급 재료 연구 및 장치 제작을위한 고품질 영화를 제공하는 고급 CVD 기계입니다. 효율적이고 빠른 증설 (deposition) 을 위해 설계되었으며, 사용자 친화적인 인터페이스를 통해 사용하기 편리합니다. 고급 예금 챔버 (pre-deposition chamber), 고급 증착 기술 (advanced deposition technology), 자동 프로그래밍 도구 (automated programming tool) 를 통해 박막 증착을 위한 탁월한 선택입니다.
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