판매용 중고 AIXTRON AIX200 / 200RF #293759012

제조사
AIXTRON
모델
AIX200 / 200RF
ID: 293759012
웨이퍼 크기: 2"
빈티지: 2004
MOCVD System, 2" Halogen heater Induction heater Dual tube RF Coil heater IR Heater 2004 vintage.
AIXTRON AIX200/200RF는 반도체 산업에 증착 장비를 공급하는 AIXTRON SE가 설계하고 개발 한 최첨단 반도체 제조 원자로입니다. AIX200/200RF 원자로는 다용도가 높으며 다양한 전자식 (Electronic) 및 광전자식 (Optoelectronic) 장치에 사용되는 고급 박막 재료를 생산하는 다양한 기능을 제공합니다. 이 원자로는 질화 갈륨 (GaN), 인화 인듐 (InP) 등과 같은 화합물 반도체의 증착을 위해 특별히 설계되어 LED, 레이저 다이오드 및 고출력 트랜지스터. AIXTRON AIX200/200RF 원자로는 수직 컨셉 디자인을 특징으로하며, 챔버 내 증착 영역을 최대화하면서 소형 발자국을 제공합니다. 이 설계는 반도체 제조 설비에서 공간을 효율적으로 활용하는 한편, 높은 처리량과 생산성을 제공합니다. 원자로에는 회전 디스크 서셉터 시스템 (rotating disk susceptor system) 이 장착되어 있어 대용량 기판에 박막 (thin film) 을 균일하게 증착시켜 생산 과정에서 높은 수율과 품질을 보장합니다. AIX200/200RF 원자로의 주요 특징 중 하나는 PECVD (Advanced Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) 기술로, 균일성과 재생성이 높은 박막 성장을 정확하게 제어 할 수 있습니다. 원자로에는 반응성이 높은 플라즈마 환경을 생성하는 고주파 RF 플라즈마 소스 (high-frequency RF plasma source) 가 장착되어 있어, 뛰어난 결정 품질 및 구조적 무결성을 가진 복잡한 화합물 반도체 재료의 성장을 촉진합니다. AIXTRON AIX200/200RF 원자로는 저온에서 박막 증착 (thin film) 을 포함하여 광범위한 공정 기능을 제공하여 온도에 민감한 기판에 반도체 장치를 통합하는 데 적합합니다. 이 시스템은 다양한 재료 조합 (material combination), 다중 계층 구조 (multi-layer structure) 및 이종 구조 (heterosstructure) 의 증설을 허용하며, 특정 성능 요구 사항에 맞게 장치 아키텍처를 사용자 정의할 수 있습니다. AIX200/200RF 원자로에는 증착 기능 외에도 인사이트 (in-situ) 모니터링 및 제어 시스템이 장착되어 있어 실시간 프로세스 최적화 및 피드백이 가능합니다. 원자로 (Reactor) 는 증착 매개변수를 정확하게 튜닝할 수있는 고급 공정 제어 소프트웨어 (Advanced Process Control Software) 와 통합되어 프로덕션 실행 전반에 걸쳐 일관되고 반복 가능한 결과를 제공합니다. AIXTRON AIX200/200RF 원자로는 대용량 생산 환경을 위해 설계되었으며, 강력한 성능, 확장성, 간편한 유지 관리 기능을 제공합니다. 이 시스템은 장기적인 안정성과 가동 시간을 보장하고, 다운타임을 최소화하고, 반도체 제조업체의 운영 비용을 절감할 수 있도록 고품질 구성 요소와 재료를 기반으로 설계되었습니다. 전반적으로, AIX200/200RF 원자로는 복합 반도체 재료의 증착을위한 최첨단 솔루션을 나타내며, 고성능 및 고품질 박막 증착 프로세스에 대한 반도체 산업의 엄격한 요구를 충족시킵니다. 첨단 기술, 프로세스 유연성, 안정적인 성능을 갖춘 AIXTRON AIX200/200RF 원자로는 차세대 전자 장치 (Electronic Device) 와 광전자 장치 (Optoelectronic Device) 의 개발 및 생산에 핵심적인 역할을 합니다.
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