판매용 중고 AIXTRON AIX 2600 G3 HT #9352600

AIXTRON AIX 2600 G3 HT는 고품질 에피 택시 레이어 생산을 위해 설계된 모듈 식, 고출력, 분자빔 에피 택시 (MBE) 성장 장비입니다. 성장 (Growth), 그림자 (Shadow) 및 분석기 (Analyser) 범위를 포괄하는 3 개의 독립적으로 가열된 영역과 광학 특성화를위한 4 번째 가열되지 않은 영역이있는 다중 영역 디자인입니다. 이 시스템은 GaAs, InP, GaN, AlGaAs, InGaAs 등과 같은 복합 반도체 재료의 생산에 적합한 박막의 정확하게 제어 된 층 별 증착을 허용합니다. AIX 2600 G3 HT의 성장 지대 (Growth Zone) 는 가장 크며, 세 영역 모두에서 독립적 인 온도 제어를 통해 500 ~ 1000 ° C 사이의 온도에 도달합니다. 이 장치의 안정화 된 온도는 성장주기 전반에 걸쳐 불가피한 온도 변동 수를 줄여 자유 상태 (free-standing) 초박층 (ultra-thin layer) 의 균질하고 재현 가능한 성장을 촉진합니다. 섀도우 존 (Shadow Zone) 은 장치 내에서 추가 성장 영역으로 작동하며, 종종 분석기 (Analyser) 와 성장 영역 (Growth Zone) 사이의 완충제로 사용되므로 분석기 존 (Analyser Zone) 의 직접적인 오염을 방지합니다. 분석기 영역 (Analyser Zone) 은 고해상도 분광 그래프로 구성되어 성장 매개변수에 대한 연속적인 인라인 모니터링을 가능하게 합니다. 이것은 석영 결정 미생물 (QCM) 및 석영 결정 전기 균형 (QEB) 기술의 도움으로 수행됩니다. 이러한 측정은 기판에 균질하고 단결성 (monocrystalline) 물질의 형성에 대한 성장 매개변수의 정확한 튜닝을 허용한다. 또한 AIXTRON AIX 2600 G3 HT에는 강력한 4 채널 광시야각 장치 (클로즈업 카메라 추가) 가 장착되어 있어, 시스템이 매우 사용자 친화적이며 최대한의 해상도로 최적화된 광학 특성을 제공합니다. 또한 EasyScan 소프트웨어 패키지를 활용하여 라인 스캐닝 밀도 (line scanning densitometry) 를 사용하여 성장하는 레이어의 두께와 구성을 정량적으로 측정합니다. AIX 2600 G3 HT (HIX 2600 G3 HT) 가 지원하는 이 모든 기능은 고급 반도체 재료 및 장치 구조의 제조를 위해 매우 다재다능하고 강력한 원자로가되었습니다. 탁월한 정확성과 재현성을 통해 뛰어난 품질의 박막 (Thin-film) 레이어를 최대한의 효율로 성장시킬 수 있습니다.