판매용 중고 AIXTRON 2400 G1 #9191892
이 품목은 이미 판매 된 것 같습니다. 아래 유사 제품을 확인하거나 연락해 주십시오. EMC 의 숙련된 팀이 이 제품을 찾을 수 있습니다.
확대하려면 누르십시오
판매
ID: 9191892
빈티지: 1991
MOCVD Reactor
AlGaAs System
Main chamber
LEYBOLD D65 Pump
15" x 2" and 8" x 3"
Configuration:
(2) Ga lines
(2) In
(2) Al
(1) Mg
(1) Zn
(1) Spare
(2) As
(1) Ph
(1) Si2H6
(1) HCl
Temperature range: Up to 850°C
Used for AlInGaP LEDs
Gases used: Arsine, Phosphine, DiSi2H6, HCL
Windows based operating system: Upgraded from OS9
Usage: ~4,000 Hours
Installed with N2 and H2 disconnected
Purged with N2 before shut down
(3) / (4) Lauda baths
1991 vintage.
AIXTRON SE의 AIXTRON 2400 G1 원자로는 확장 가능한 생산을 위해 설계된 반도체 증착 장비입니다. 탁월한 프로세스 제어 및 유연성을 제공하는 고급 저압 CVD 시스템입니다. 이 원자로는 산화물, 질화물, 폴리 실리콘 증착, 열 산화물 및 기타 실리콘 기반 공정 등 다양한 기능을 제공합니다. 자동화 및 구성 기능의 수준은 박막 증착에 이상적인 선택입니다. 2400 G1은 균일하고 반복 가능한 프로세스 품질을 제공하도록 설계되었습니다. 완전 자동화 장치 (Fully Automated Unit) 로서 다양한 가스 소스에 연결되어 완벽한 프로세스 유연성을 제공합니다. 이 기계에는 온도 프로파일 링 (temperature profiling), 가스 흐름 측정 (gas flow measurement) 및 증착 프로파일 링 (deposition profiling) 과 같은 고급 진단이 장착되어 프로세스 제어를 극대화합니다. 원자로는 각 챔버에 3 개의 원자로가있는 6 개의 수평 반응 챔버로 구성된 모듈 식 설계를 가지고 있습니다. 반응 실의 중앙 벽 은 "스테인레스 '강 으로 되어 있고, 외부 벽 은" 세라믹' 으로 되어 있다. 모든 원자로는 수송 레일에 연결되어 연속적인 챔버 사이를 이동 할 수 있습니다. 이 기능은 도구 전체에서 균일한 증착률을 보장합니다. AIXTRON 2400 G1의 최대 온도 범위는 90 ° C ~ 1000 ° C이며 공정 압력은 5mBarg입니다. "가스 '분배 를 촉진 하기 위하여 여러 가지 위치 에 배치 된" 가스' 분사기 를 갖추고 있다. 또한, 원자로는 여러 가스를 통합 할 수 있으며, 이를 위해 특별히 설계된 가스 박스 (gas box) 와 배기선 (exhaust line) 을 포함합니다. 폭넓은 기능을 갖춘 2400 G1 은 안정적이고 효율성이 높은 자산으로, 높은 수준의 제어 및 반복 (repeatability) 기능을 제공합니다. 이 모델은 광범위한 박막 증착 (Thin-film deposition) 프로세스에 적합하며, 최신 반도체 생산 요구 사항을 충족하도록 설계되었습니다.
아직 리뷰가 없습니다