판매용 중고 AMAT / APPLIED MATERIALS Vantage Radiance #293587172
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ID: 293587172
Rapid Thermal Processing (RTP) system, 12"
Process: RadOx
(2) Chambers
Wafer type: SNNF
Platform type: Vantage 3.X
Position A and B: (V352) RadOx2
Chamber A and B process: Toxic RP
OHT WIP Delivery
Dual 2-slot active cool down station
No remote control system
E99 Docked reading capability
Load port: SELOP 7
Load port operator interface: Standard (8) lights
Configurable colored lights
Top air intake system
Upper E84 interface enabled OHT
Upper E84 PIO sensors and cables
E99 Carrier ID: TIRIS With RF
Operator access switch
4-Color configurable light towers
Interface A option
eDiagnostic
Out the back connection type: RP
Out the back connection H2
(2) Water cooling chambers
RP Integration hardware: Chamber A and B
Standard RAGB rear light tower
Vantage skin: (2) Toxic chambers
IPUP Transfer pump
Open loop tuner
MFC Type: STEC
Core anneal and RTO
Monitor 1: Flat panel with keyboard on stand, 17"
Monitor 2: Flat panel on stand, 17"
Monitor 1 and 2 cables: 25 ft with 16 feet effective
SEMI F47
Semi S2 compliance
RTP Chamber type: Radiance RadOx2, 12"
Technology option: Open loop tuner
MFC Type: STEC
Core anneal and RTO
Rotation type: WRLD Toxic
Low flow O2: 5 SLM
High flow O2: 50 SLM
Oxygen analyzer
H2:
High flow
Low flow
Side inject
No process N2 for flammable MNFLD
Gas pallet type: TOXIC RP Common gas pallet
No MWBC improvement kit
Chamber integration lines: RadOx2
RP Pump cable: 81 Feet
Base ring: RadOx2 base ring
Line 1 / N2 (N/O), 50 SLM
Line 2 / O2, 50 SLM
Line 3 / O2, 5 SLM
Line 6 / H2, 15 SLM, Side inject high flow
Line 7 / H2, 22 SLM, High flow
Line 8 / H2, 2 SLM, Low flow
Line 10 / N2 (P/P), 30 SLM Restrictor
Line 11 / He, 30 SLM
Line 12 / N2 (BP), 50 SLM
Line 13 / N2 (Maglev), 100 SLM
Docking station FST install kit
Does not include Hard Disk Drive (HDD)
2016 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Vantage Radiance는 반도체 제조 공정 중에 빠르고 효율적으로 웨이퍼를 가열하도록 설계된 빠른 열 프로세서입니다. 시중에서 가장 발전된 열 처리 시스템 중 하나이며, 칩 (chip) 제조업체에 다양한 기능과 이점을 제공합니다. AMAT Vantage Radiance는 최고 온도 범위가 1300 ° C인 균일 한 열을 전달하도록 설계된 고출력, 고속 열 처리 로를 갖추고 있습니다. 이것 은 "스텝 '당 0.1 초 미만 의 빠른 램프' 시간 을 수반 하여 온도설정점 을 빠르고 정확 하게 달성 할 수 있다. 이를 통해 긴 웨이퍼 사이클 (wafer cycle) 시간을 줄여 칩 제조업체가 더 발전된 반도체 장치를 만들 수 있습니다. APPLIED MATERIALS Vantage Radiance에는 고급 제어 장비 (Advanced Control Equipment) 가 장착되어 있어 운영자가 열 처리에 필요한 다양한 프로세스와 조건을 관리하고 제어 할 수 있습니다. 여기에는 온도, 압력, 가스 흐름, 웨이퍼 표면 조건과 같은 조건을 모니터링하는 다양한 도구가 포함됩니다. 이 시스템은 또한 용광로 (furnace) 의 조리 매개변수를 조정하여 각 웨이퍼 배치에서 최적의 성능을 보장합니다. 또한 Vantage Radiance는 특허를받은 MPCS (Multiple Process Control Unit) 를 사용하여 여러 웨이퍼에 대해 동시 프로세스를 실행할 수 있습니다. 이를 통해 열 공정의 정확성과 제어를 손상시키지 않고, 여러 웨이퍼를 신속하고 동시에 가열 (heating) 할 수 있습니다. MPCS는 또한 다른 프로세스 단계에 대한 열 레시피를 특징으로하여 일관성 있는 결과를 빠르게 생성합니다. 전반적으로 AMAT/APPLIED MATERIALS Vantage Radiance는 반도체 제조의 효율성과 성능을 높이기 위해 설계된 고급 고속 열 프로세서입니다. 고출력, 고급 제어 기계 (Advanced Control Machine) 및 다중 프로세스 제어 도구 (Multiple Process Control Tool) 를 통해 AMAT Vantage Radiance는 다양한 열 처리 요구를 빠르고 정확하게 충족할 수 있습니다.
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