중고 분자빔 에피택시 판매용 - 페이지 #2

MBE (Molecular Beam Epitaxy) 는 재료 과학 및 반도체 기술 분야에서 사용되는 다재다능하고 정확한 박막 성장 기술입니다. 구성 및 두께에 대한 원자 수준 제어를 통해 고품질 에피 택시 레이어 (epitaxial layer) 를 증착시킬 수 있습니다. MBE는 일반적으로 트랜지스터, 다이오드, 레이저, 태양 광 세포와 같은 구조 및 장치 제작에 사용됩니다. MBE 에서, 박막 의 성장 은, 고진공실 에서, 개개 의 "에큐전 '세포 에서 가열 된 기질 로 분출 된 원소 나 화합물 의 분자 광선 에 의하여 이루어진다. 분자 빔은 기질 표면에서 응축되는 원자 또는 분자로 구성되며, 잘 정의 된 결정 격자 방향 (crystal lattice orientation) 을 갖는 결정 층을 형성한다. MBE (Multi-Layered Structure) 의 핵심 장점은 예외 제어로 에피 택시 필름을 성장시켜 복잡한 다중 계층 구조를 제작 할 수있는 능력에 있습니다. 분자선 과 기질 온도 의 "플럭스 '를 감시 하고 조정 하여 성장 과정 을 정확 하게 조절 할 수 있다. 따라서 특정 장치 응용 프로그램에 필요한 필름 컴포지션, 두께, 도핑 수준을 정확하게 제어할 수 있습니다. 또한, MBE는 높은 진공 환경으로 인해 낮은 오염 수준을 제공합니다. 이로 인해 우수한 전기 및 광학 특성을 가진 고순도 필름이 생성됩니다. 성장 과정에서 사용 가능한 현장 모니터링 (in-situ monitoring) 및 특성 (characleization) 기술은 퇴적된 필름의 제어 및 품질을 더욱 향상시킵니다. MBE 기술은 균주 공학, 격자 일치 성장, 새로운 재료의 통합으로 계속 발전하고 있습니다. 이 기구 는 고급 반도체 장치 의 개발 에 매우 중요 한 역할 을 하며, 재료 과학 (materials science) 과 나노기술 (nanotechnology) 분야 에서 일 하는 연구원 들 과 엔지니어 들 에게 필수적 인 도구 이다.