판매용 중고 VEECO Gen II #9107591
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ID: 9107591
MBE System
Chamber with (8) source flange size, 2.75”
MBE Components:
RHEED System
Sample manipulator with flux monitor
QMS Head
Glove box
Pumps:
Cryo pump
Lon pump
Turbo pump
(2) Ion pumps:
Main chamber (600 l/m)
Buffer chamber (150 l/m) with (2) power supplies
(2) Ti-Sublimation pumps
With power supplies in the base of the main chamber
Manipulator, 2"
With servo motors for rotation
Position setting
Control unit
Heater power supply
Thermo-couple controller
Beam flux
Monitor and controller
(2) Ion gauges:
With (2) power supplies and controllers
Main chamber
Load lock
Load lock for 6 wafers
With heater for pre bake out with its power supply
Temperature controller
Electrical distribution panel
Bake out panels with electrical connections
Eight shutters with their control units
Utility distribution box for water, air, N2
QMS, Power supply & display unit
Operating system and computer
(6) Sample holders
Baffles head for main chamber turbo pump
Gaskets silver coated copper gaskets
Mixing manifold
With (2) leak valves and tubing for gas interceptor
Sulfur automatic valved cracker with:
(2) Temperature zones
100 CC Quartz crucible
(2) Power supplies
(2) Temperature controllers
Servo motor and controller and cable
Oxygen plasma source with:
RF Power supply
Matching unit
Leak valve
Water flow meter and filter
High temperature effusion cell with:
Temperature zone up to: 2000°C
10 CC Crucible
Power supply & temperature controller
Low temperature effusion cell with:
(2) Temperature zones (Base and tip)
25 CC PBN Crucible
(2) Power supplies
(2) Temperature controllers
Gas injector with:
Single heater
Power supply
Temperature controller and display
Mixed manifold with two leak valves and tubing
Options:
QCM Integrated
With machine for film thickness monitor
RHEED System
With 6" phosphorous screen and detector and camera
E-beam gun with power supply and control unit.
VARIAN/VEECO GEN II MBE (Molecular Beam Epitaxy) 장비는 다양한 반도체 재료의 도핑 및 증착을위한 고도의 다중 사용자 증착 시스템입니다. 최첨단 MBE (State-of-the-Art) 장치를 사용하면 증착 환경을 정확하게 제어하여 재현성이 뛰어난 고품질 레이어를 달성할 수 있습니다. 이 기계는 갈륨 비소 (gallium arsenide) 및 인듐 갈륨 비소 (indium gallium arsenide) 와 같은 반도체 재료의 고품질 및 균일 한 층의 증착을 허용합니다. 증착 과정 은 진공실 에서 진행 되는데, 이 때 에 증착 할 기질 은 가열 된 "홀더 '위 에 놓이게 된다. Caesars에서 제조 한 세 가지 유형의 효능 세포가이 도구와 함께 사용됩니다. 비소, 갈륨 및 인듐 세포. 이 세 가지 "셀 '을 결합 시키면 복잡 하고 특수 한 박막 구조 를 만들 수 있는 유연성 이 있다. MBE 에셋의 기본 압력은 4-6 x 10-7 mbar에서 유지되며, 별도의 로드 락 (load-lock) 모델을 사용하여 진공실에 삽입하기 전에 압력을 더욱 줄입니다. 또한, 장비에는 표면 준비 및 성장 향상을 돕기 위해 열 산화 장치, 오존 생성기 및 2 개의 질소 라인이 포함되어 있습니다. 기판 "홀더 '는 전기적 으로 가열 되며, 일련의 열전대 로 온도 조절 을 하여" 샘플' 의 모든 부면 에서 균일 한 온도 를 허용 하여 "박막 '증착 을 위한 정밀 조절 을 한다. 사전 설정된 온도는 200K에서 1,000K입니다. 또한, VEECO GEN II 장비에는 최첨단 소프트웨어 패키지가 장착되어 있으며, 이는 소스 방출 및 증착 프로세스를 제어하기위한 다양한 유용한 기능을 제공합니다. 이 소프트웨어에는 성장 프로세스 시뮬레이션, 레이어 구조 정의, 다양한 매개변수 계산 (parameter calculation) 을 수행하는 포괄적인 도구 세트가 포함되어 있습니다. 강력한 패라메트릭 최적화 (parametric optimization) 기능을 사용하여 사용자는 박막 구조에 대한 상세한 시뮬레이션을 개발하여 샘플의 성능을 극대화할 수 있습니다. 또한 그래픽 사용자 인터페이스 (Graphical User Interface) 를 생성하여 실험을 설정하고 모니터링하는 편리한 방법을 제공합니다. VARIAN GEN II MBE 시스템은 광범위한 과학/산업 요구 사항에 맞게 설계되었으며, 이를 통해 사용자는 연구 응용프로그램을 한 단계 높일 수 있습니다. 이 고급 장치 (advanced unit) 는 고품질 결과를 낼 수 있으며, 복잡한 박막 구조를 만들기 위해 원자 (atom by atom) 에 따라 다른 재료를 할당할 수있는 유연성을 제공합니다.
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