판매용 중고 ULVAC Molecular Beam Epitaxy (MBE) system #293697688

ID: 293697688
Temperature: 600°C (4) Effusion cells: Ga, As, Fe Liquid nitrogen capacity: 230 L Residual pressure: 6e-8 Vacuum systems: (2) Ion pump TSP Pump Turbo pump Power supply: 3 Phases, 380 V - 32 A.
ULVAC MBE (Molecular Beam Epitaxy) 장비는 반도체 장치 제작, 연구 및 개발에 사용되는 최첨단 박막 증착 기술입니다. 이 고급 시스템은 원자 수준에서 박막 (thin film) 의 성장을 정확하게 제어하여 뛰어난 순도 (purity) 와 균일성 (unifority) 을 가진 고품질 결정질 (crystalline) 구조를 형성 할 수 있습니다. ULVAC MBE 장치는 분자 또는 원자 빔이 기판으로 향하는 프로세스를 사용하여 맞춤형 특성을 가진 에피 택시 레이어 (epitaxial layer) 를 생성합니다. ULVAC MBE 머신의 핵심에는 박막 성장을 위해 깨끗하고 통제 된 환경을 제공하는 UHV (Ultra-High Vacuum) 챔버가 있습니다. 이 챔버 들 은 여러 개 의 "포트 '를 갖추고 있는데, 이" 포트' 는 "에큐전 '세포 나 전자 빔 증발기 와 같이 원하는 물질 의 분자 나 원자" 빔' 을 방출 한다. 광선은 진공 환경에서 이동하며, 필름 성장 과정에 대한 오염 또는 간섭을 피합니다. ULVAC MBE 도구 (ULVAC MBE tool) 의 주요 장점 중 하나는 박막의 증착 속도와 구성을 정확하게 제어 할 수있는 능력입니다. 원소 (elemental source) 의 플럭스를 조정하고 실시간으로 성장 매개변수를 모니터링함으로써, 연구자들은 필름 두께와 조성에 대한 원자 수준 제어를 달성 할 수 있습니다. 이 정밀도 수준은 특정한 전자적 특성 (electronic properties) 과 인터페이스 (interface) 로 복잡한 반도체 구조를 만드는 데 중요합니다. ULVAC MBE 자산은 또한 원소 반도체 (실리콘 및 저마늄 등), 화합물 반도체 (예: 갈륨 비소 및 인화 인듐), 그래 핀 및 2 차원 재료와 같은 새로운 재료를 포함하여 광범위한 재료 시스템을 성장시킬 수있는 유연성을 제공합니다. 이 다재다능성은 ULVAC MBE 모델을 신소재 시스템 탐구와 반도체 연구 발전을위한 귀중한 도구로 만듭니다. 또한, ULVAC MBE 장비는 이종 구조를 확장 할 수 있으며, 여기서 서로 다른 재료 계층이 서로 쌓여 고유한 장치 아키텍처를 만들 수 있습니다. 이 기능은 재료 인터페이스 및 특성에 대한 정확한 제어에 의존하는 고급 전자 및 광전자 장치 (예: 양자 우물, 양자 점, 수퍼 라틱) 를 개발하는 데 특히 중요합니다. ULVAC MBE 시스템에는 내부 모니터링 (in-situ monitoring) 및 특성 도구가 장착되어 있어 연구원들이 실시간으로 박막 성장 과정을 분석 할 수 있습니다. 반사 고 에너지 전자 회절 (RHEED) 및 질량 분석법 (Mass Spectrometry) 과 같은 기술은 증착 중 결정 품질, 필름 두께 및 원소 조성에 대한 귀중한 통찰력을 제공합니다. 이 피드백 루프 (feedback loop) 를 통해 연구원들은 성장 조건을 최적화하고 박막 특성의 재생성을 보장 할 수 있습니다. 요약하자면, ULVAC MBE 장치는 원자 수준의 정밀도를 갖춘 고품질 박막을 성장시키는 최첨단 도구입니다. 복잡한 재료 구조를 만들고, 그 특성을 조정하는 능력은 반도체 연구, 장치 제작, 신흥 기술에 없어서는 안될 것입니다. 첨단 기능과 유연성을 갖춘 ULVAC MBE 머신은 자재 과학 (materials science) 과 반도체 (semiconductor) 기술 분야에서 혁신을 주도하고 있습니다.
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