판매용 중고 RIBER 32 #9227851

MBE (Molecular Beam Epitaxy) 는 기판에서 고품질의 얇은 물질 층을 성장시키는 데 사용되는 기술입니다. RIBER 32는 III-V 및 II-VI 화합물과 같은 얇고 고품질 반도체 재료 층을 생산하는 데 사용되는 MBE 장비 유형입니다. 32 호기 (32) 는 열적· 원자적 소스를 모두 갖추고 있으며, 방에서 초고진공까지 다양한 온도에서 층을 늘릴 수 있다. RIBER 32는 전자빔 증발기, 필레 히터 및 여러 전자 현미경을 포함하는 반 폐쇄 초고 진공 (UHV) 챔버로 구성됩니다. 증발기는 솔리드 스테이트 소스 (solid-state source) 와 같은 솔리드 소스에서 물질을 기화시키는 데 사용되며, 필레 히터 (filet heater) 는 소스 물질을 필요한 온도로 가열하는 데 사용됩니다. 전자 현미경은 성장하면서 층을 관찰하고 분석하는 데 사용됩니다. 이 시스템은 매우 높은 진공 수준 (일반적으로 10-6 ~ 10-8 torr 사이), 매우 깨끗한 환경, 정확한 온도 조절 및 매우 균일 한 박막 층을 제공하도록 설계되었습니다. UHV 챔버에는 단위 매개변수의 정확한 모니터링을 위해 In-situ Diagnostic 시스템 (ESCA 및 XRD) 및 커패시턴스 manometer가 장착되어 있습니다. 32 개는 질화물, 산화물, 질화물/산화물 및 기타 복잡한 합금을 포함한 많은 반도체 재료의 고품질 박막을 자랄 수 있습니다. 기계는 실온에서 초고진공 (UHV) 까지 온도에서 작동 할 수 있습니다. 성장 영역 전반에 걸친 필름 두께와 퇴적 된 필름 (deposited film) 의 균일성 (homogeneous properties) 을 제공 할 수있다. 또한, RIBER 32에는 Atomic Beam Tool (ABS) 이 장착되어 빛 방출 OLED 및 광파수와 같은 응용 분야에 이상적인 원자적으로 부드러운 표면의 성장을 가능하게합니다. "ABS '는 표적 물질 의 분자 를 포착 하고" 빔' 을 기판 위 에 집중 시켜 오염 물질 의 존재 와 성장 조건 을 능동적 으로 조절 한다. 대부분의 반도체 소재의 박막 층을 성장시키는 데 이상적인 선택이 되는 32형 (top-notch) 성능과 높은 신뢰성. 저비용 (LC) 과 생산성 향상, 현대 전자제품용 박영화 연구· 제작 핵심 도구다.