판매용 중고 PHOTONIC MICROSYSTEMS Gen II #293773642
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ID: 293773642
빈티지: 2012
MBE System, parts machine
UHV Growth chamber
Power rack
Control rack
K-Cells-6
Ion pump
Air regulator
Stainless steel table
Does not include:
Cable
Interlock
2012 vintage.
Photonics Microsystems PHOTONIC MICROSYSTEMS Gen II는 고급 광전자 장치 제조에 사용되는 반도체 재료의 정확하고 통제 된 성장을 위해 설계된 최첨단 MBE (molecular beam epitaxy) 장비입니다. 이 고도로 정교한 시스템은 PHOTONIC MICROSYSTEMS Inc. (PHOTONIC MICROSYSTEMS Inc.) 가 개발한 2 세대 플랫폼으로, 뛰어난 재료 품질 및 장치 성능을 위한 광자 산업의 요구 사항을 충족시킵니다. 코어에서, Gen II MBE 장치는 분자 빔 에피 택시 (molecular beam epitaxy) 로 알려진 독특한 성장 기술을 사용하며, 이는 원자 층 정밀도를 갖는 반도체 물질의 층 별 증착을 가능하게한다. 이 방법을 사용하면 정확한 두께 제어, 우수한 결정질 (crystalline quality), 저결함 밀도 (low defect densities) 등 맞춤형 특성을 가진 고품질 에피 택시 레이어를 제작할 수 있습니다. 이러한 특성은 레이저, 광검출기, 광변조기와 같은 차세대 광전자 장치 개발에 필수적입니다. PHOTONIC MICROSYSTEMS Gen II 머신은 기존 MBE 시스템과 분리되는 몇 가지 주요 기능을 자랑합니다. 첫째, 고급 자동화 및 제어 시스템 (Automation and Control System) 을 통해 성장 프로세스를 간소화하고, 재현성을 향상시키며, 전반적인 도구 효율성을 향상시킵니다. 이러한 자동화 기능을 통해 복잡한 장치 구조를 설계하고 특정 재료 구성의 성장 조건을 최적화할 수 있습니다 (영문). 또한, Gen II 자산은 최첨단 현장 모니터링 및 진단 도구를 통합하여 성장 프로세스에 대한 실시간 피드백을 제공합니다. 이러한 도구에는 표면 재구성 모니터링을위한 반사 고 에너지 전자 회절 (RHEED), 두께 측정을위한 타원법, 증착 중 분자 플럭스 분석을위한 질량 분석법이 포함됩니다. 연구자들은 첨단 진단 (advanced diagnostics) 을 활용하여 모델과 함께 성장한 에피택시층 (epitaxial layer) 의 품질과 무결성을 보장할 수 있다. PHOTONIC MICROSYSTEMS Gen II 장비의 또 다른 중요한 측면은 III-V 화합물 반도체, 그룹 IV 재료 및 II-VI 화합물을 포함한 광범위한 반도체 재료를 처리하는 다재다능성입니다. 이 유연성을 통해 연구자들은 맞춤형 기능과 최적화된 성능 지표를 갖춘 새로운 광자 장치 (photonic device) 를 설계하기 위해 다양한 재료 조합 및 이종 구조를 탐구 할 수 있습니다. 게다가, Gen II MBE 시스템은 확장성을 염두에 두고 설계되어, 진화하는 연구/개발 요구를 충족할 수 있는 향후 업그레이드 및 맞춤형 구성을 지원합니다. 모듈식 아키텍처 (Modular Architecture) 와 유연한 구성 옵션 (Flexible Configuration Options) 은 다양한 최첨단 포토닉스 응용 프로그램을 연구하는 연구자와 엔지니어들을 위한 다용도 플랫폼입니다. 요약하면, Photonics Microsystems PHOTONIC MICROSYSTEMS Gen II 분자 빔 에피 택시 장치는 광자 응용 프로그램의 반도체 재료 성장 분야에서 중요한 발전을 나타냅니다. 고급 자동화, 현장 진단, 재료 다용도 및 확장성을 갖춘 Gen II 기계는 연구원들에게 광전자 장치 설계 및 성능의 경계를 밀어내는 강력한 도구를 제공합니다.
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