판매용 중고 VARIAN E1000HP #9232479
URL이 복사되었습니다!
확대하려면 누르십시오
ID: 9232479
웨이퍼 크기: 8"
High current implanter, 8"
Enhance type
Carriage motor type: N6 Motor
Turbo (VT250) end station pump
High-pressure gas
EDWARDS QDP80 Terminal dry pump
EDWARDS QDP80 Chamber dry pump
VARIAN V1800 Source turbo pump
(4) CTI 250F Chamber cryo pumps
Chamber cryo pump option
Main power / Frequency: 280 PD / 208 PD
Auto top utility supply
Type: PFG
Cusp source assy
Type: Hook site
Y2K Completion
Hi-voltage probe
Signal tower
Energy:
Operational: 2 ~ 200 keV
B+: 10~200 keV, As+
P+: 40~200 keV
Stability: ±10% After warm up
Dopant species: 11B+, 49BF₂+, 75As+, 31P+, 121Sb+
Implant dose accuracy:
Specification range: 5E11-5E16
Uniformity (At 7° Tilt angle): 1δ ≤0.5%
Repeatability (At 7° Tilt angle): 1δ ≤0.7%
Wafer charge neutralization:
Plasma flood gun with interlocks on current
Gas flow rate & beam spot size
Wafer handling:
Horizontal loading
Slot-to-slot integrity
Backside pick and place
(75) Wafer loads
(3) Independent vacuum load locks
Dummy wafer handling capability
Throughput:
Mechanical Limit/30 sec implant at 7° tilt
1D Profiler (Wafer per hour): 230 / 210
Wafers per disc: 18 / 13
Process angles:
Tilt: +7 / -7°
Twist: 0°-360° ±2°
Automatic recipe control
Wafer cooling: ≤100° C at 3000 Watts
Wafer breaks: 1:20,000
Particulate control:
≥0.2 um Particles
≤0.15 Added per cm² (Mean value)
Utility:
N2: 50~100 psi
Size: 3/8" NPT
Air: 90~125 psi
Size: 3/8" NPT
PCW: 40~100 psi (In/Out)
Size: 3/4" NPT
Temperature: 10~20° C
Exhaust:
Toxic: 34000
PVC, 5"
(2) PVC, 8"
NW40
Power: 460/445/415/380 V, 65/70/75/80 kVA, 3 Phase, 4 wires.
VARIAN E1000HP는 반도체 산업에 정확하고 안정적인 이온 이식 이식 서비스를 제공하기 위해 설계된 이온 임플랜터 및 모니터입니다. VARIAN E1000 HP는 Si 및 SiGe를 포함한 다양한 기판을 처리 할 수있는 매우 정확하고 완전하게 자동화 된 시스템입니다. 이온 용량, 빔 각도 (beam angle) 및 이온 에너지 (ion energy) 를 임플란트 과정에서 매우 정확하게 제어 할 수 있도록 설계되었습니다. E-1000 HP에는 다양한 에너지의 이온 빔을 생성 할 수있는 이온 소스가 장착되어 있습니다. 또한 높은 압력 을 견딜 수 있는 진공실 (vacuum chamber) 이 특징 으로, 여러 가지 착상 기술 에 적합 하다. 챔버 (Chamber) 에는 동봉 된 목표 영역이 포함되어 있으며, 이는 빔에 노출되지 않도록 보호되며, 목표 표면을 손상시킬 수 있습니다. 이 시스템은 또한 고급 이온 빔 모니터 (advanced ion beam monitor) 를 갖추고 있으며, 이온 빔 모니터는 빔 위치 (beam position), 크기 (size), 전류 (current) 및 빔 매개변수 배열을 측정하여 임플란트 프로세스를 최적화할 수 있습니다. 또한 상단 장착 포지셔너 (top-mounted positioner) 를 통해 사용자가 대상 영역에 기판을 정확하게 배치할 수 있습니다. 또한, E1000HP에는 이온 가속을 위해 저주파 및 고주파 전력을 모두 생산할 수있는 안정적인 RF 생성기가 포함되어 있습니다. 또한 일정한 이온 빔 (ion beam) 크기를 유지할 수있는 고급 초점 렌즈가 있습니다. 또한, 이 장치에는 고출력 RF (High Power RF) 소스와 전용 모니터가 장착되어 있어, 사용자가 빔 에너지를 제어하고 이온 용량을 모니터링할 수 있습니다. 마지막으로 E1000 HP는 안정적인 성능과 일관성을 제공하도록 설계되었습니다. 방사선 노출을 방지하고 임플란트 (Implant) 과정에서 운영자의 안전을 보장하는 고급 안전 (Safety) 기능이 내장되어 있습니다. 이 시스템은 설치, 사용도 쉽고, 다양한 어플리케이션에 적합합니다.
아직 리뷰가 없습니다