판매용 중고 VARIAN / AMAT / APPLIED MATERIALS VIISta HC #293646025

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ID: 293646025
Ion implanter Process chamber COMP II ESC Roplat tilter assembly UES2 Process end station Dual load locks: 25 Wafer capacity Polished integrated loadlock Self aligning atmospheric door 4-Wafer walk out sensors in pass through cassette Through-beam wafer mapping sensor BROOKS AUTOMATION DBM- 2076V2 Buffer robot with track movement ESC Controller: P/N: E19283790 MFC / Pressure unit: Argon, BF3, AsH3, PH3 Drive mechanism: E11320430 Orientor Assembly VAC-407 IN VAC Arms Foups/Load ports: 4-FOUP Complies Module: Gas module 1: Argon Gas module 2: BF3 Gas module 3: AsH3 Gas module 4: PH3 Exhaust / Pump system: BOC EDWARDS STP-A Source turbo pump BOC EDWARDS STP-A Beam line turbo pump EBARA A10S Source rough pump EBARA A10S End station rough pump BROOKS OBIS320FE Cryo pump TC750 Load-Lock Turbo pump Power supply: 3 Phase, 208 VAC.
VARIAN/AMAT/APPLIED MATERIALS VIISta HC는 반도체 장치 제작에서 우수한 프로세스 제어 및 높은 생산성을 제공하도록 설계된 이온 임플란터 및 모니터입니다. 장비의 고급 기능은 단일 챔버 (Single Chamber) 내에 있으며 사용자 친화적 인 인터페이스로 제어됩니다. 시스템의 이온 임플란터 (ion implanter) 섹션은 이온의 각도 스프레드를 조정하기 위해 다양한 값으로 설정할 수있는 조정 가능한 개방 각도를 갖는 큰 원통형 고 에너지 가속기 (cylindrical high-energy accelerator) 로 구성됩니다. 이를 통해 고각도 및 광역 임플란트와 같은 다양한 이식 선택성 옵션이 가능합니다. 이 장치에는 또한 미크론 수준의 정확도로 배치 할 수있는 고정밀, 10 축 피드 스루 (feedthrough) 가 있으므로 이온 빔의 위치, 크기 및 모양을 정확하게 제어 할 수 있습니다. 기계의 모니터 섹션에는 다중 검출기 설정이 있으며, 이 설정은 임플랜터 빔 전류 및 에너지, 플럭스 밀도, 고각 산란, 각도 확산 등 다양한 매개변수를 측정 할 수 있습니다. 즉, 이식 프로세스를 지속적으로 제어하고 디바이스 장애 위험을 최소화할 수 있습니다. 이 도구는 또한 고에너지 방사선 노출 방지, 자산 운영 중 부상 위험 최소화 등 여러 가지 안전 기능 (예: 비상 정지 (Emergency Stop) 및 쉴드 보호 (Shield Protection)) 을 갖추고 있습니다. 또한 이온 빔 (ion beam) 의 특성을 모니터링하고 최적의 성능을 보장하기 위한 정교한 광학/전기 진단 모델을 갖추고 있습니다. 또한, AMAT VIISta HC는 플라즈마 (Plasma) 또는 에칭 시스템 (Etching System) 과 같은 주변 장치 구성 요소에 연결할 수 있는 옵션과 함께 기존 생산 라인에 쉽게 통합할 수 있도록 설계되었습니다. 이는 뛰어난 유연성을 제공하며, 전체 운영 라인의 안정적인 운영을 보장합니다. 전반적으로, VARIAN VIISta HC는 강력하고 신뢰할 수있는 임플랜터 및 모니터이며, 반도체 장치 제작에서 뛰어난 프로세스 제어 및 높은 생산성을 제공 할 수 있습니다.
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