판매용 중고 NISSIN Exceed 2000A #293775733

ID: 293775733
빈티지: 1999
Ion implanter ULVAC Cryo-U8HSP Cryo pump ULVAC Cryo-U12HSP Cryo pump SHMADZU Turbo molecular pump Chiller Gases: Boron trifluoride, Arsine, Phosphine 1999 vintage.
NISSIN Exceed 2000A (NISSIN Exceed 2000A) 는 반도체 업계의 광범위한 애플리케이션에 대해 정확하고 안정적인 이온 이식 이식 프로세스를 제공하도록 설계된 고성능 이온 임플랜터/모니터 장비입니다. 이 고급 시스템 (Advanced System) 은 포괄적인 기능과 기능을 제공하여 효율성과 정확도를 극대화하면서 탁월한 구축 (implantation) 결과를 얻을 수 있습니다. NISSIN EXCEED 2000A에는 반도체 제조에 일반적으로 사용되는 붕소, 인, 비소 및 기타 도펀트를 포함하여 다양한 이온 종을 생성 할 수있는 다재다능한 이온 소스가 장착되어 있습니다. 이온 소스는 다른 이식 프로세스의 특정 요구 사항을 충족하도록 쉽게 구성 될 수 있으며, 따라서 사용자는 에너지, 전류 밀도, 용량과 같은 이온 빔 특성을 정확하게 제어 할 수 있습니다. 엑시드 2000A (Exceed 2000A) 의 주요 강점 중 하나는 고급 빔라인 설계로, 최적의 이온 빔 수송을 보장하고 이식 프로세스 전반에 집중합니다. 이 장치는 빔 발산 (beam divergence) 을 최소화하고 높은 빔 품질을 유지하는 데 도움이되는 일련의 정전기 및 자기 렌즈 (electrostatic and magnetic lenses) 를 특징으로하여 전체 목표 표면에 균일 한 임플란테이션을 제공합니다. 또한, 기계의 빔라인 (beamline) 에는 빔 매개변수를 실시간으로 모니터링할 수 있는 정교한 진단 도구 (diagnostic tools) 가 장착되어 있어 원하는 임플란테이션 조건에서 벗어난 부분을 신속하게 파악하고 수정할 수 있습니다. 이식 제어 및 자동화 측면에서 EXCEED 2000 A (Exceed 2000 A) 는 광범위한 프로세스 매개변수 및 운영 설정에 쉽게 액세스 할 수있는 매우 직관적인 사용자 인터페이스를 제공합니다. 이 도구의 소프트웨어를 사용하면 이식 깊이, 용량 분배, 이식 각도를 정확하게 제어하여 최적의 장치 성능 및 생산량을 보장하는 맞춤형 이식 레시피 (implantation recipe) 를 만들 수 있습니다. 또한, 자산의 자동화 기능을 통해 다른 프로세스 장비 (예: 마스크 정렬기, 웨이퍼 처리기) 와 원활하게 통합하여 전체 제조 프로세스를 간소화하고 처리량을 향상시킬 수 있습니다. 프로세스 모니터링 및 특성화의 경우, NISSIN Exceed 2000A는 사용자가 착상 결과를 실시간으로 평가 및 최적화 할 수있는 포괄적인 인사이트 (in-situ) 도량형 도구를 갖추고 있습니다. 이러한 도구에는 SIMS (Secondary Ion Mass Spectrometry), RBS (Rutherford Backscattering Spectroscopy) 및 시트 저항 측정 기능이 포함되어 있으며, 이를 통해 도펀트 분포, 깊이 프로파일 및 이식 된 웨이퍼의 전기 특성을 높은 정밀도와 정확도를 평가할 수 있습니다. 상세한 프로세스 피드백 (process feedback) 및 분석 (analysis) 기능을 통해 이 도량형 도구는 사용자가 임플란테이션 레시피를 세밀하게 조정하고 원하는 디바이스 성능 특성을 달성하도록 도와줍니다. 전반적으로 NISSIN EXCEED 2000 A는 고급 기술, 정밀 제어 및 자동 작동을 결합하여 반도체 제조에 탁월한 이식 결과를 제공하는 최첨단 이온 임플란터 및 모니터 모델을 나타냅니다. 다양한 이온 소스, 고급 빔라인 설계, 직관적인 사용자 인터페이스, 포괄적인 프로세스 모니터링 기능을 갖춘 Exceed 2000A 는 다양한 반도체 애플리케이션에서 고성능 이온 (ion) 이식 프로세스를 위한 완벽한 솔루션을 제공합니다.
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