판매용 중고 AIBT / ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY iStar 300 #9211571
이 품목은 이미 판매 된 것 같습니다. 아래 유사 제품을 확인하거나 연락해 주십시오. EMC 의 숙련된 팀이 이 제품을 찾을 수 있습니다.
확대하려면 누르십시오
판매
ID: 9211571
웨이퍼 크기: 12"
빈티지: 2006
Ion implanter, 12"
Wafer type: Notch
Wafer per batch: 13
(4) Load ports
(2) Cyro pumps:
Process chamber: HELIX 350 mm on board
Turbo pumps:
EDWARDS STP-A2203 WAV
EDWARDS STP-451C
Dry pumps:
EBARA 40*20
EBARA 65*40
EBARA A70W
High voltage: Drift mode voltage
Low range: 1.0 kV ~ 10.0 kV
High range: 10.0 kV ~ 80.0 kV
2006 vintage.
AIBT/ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY iStar 300은 전자 부품 제조를 위해 설계된 듀얼 빔 이온 임플랜터 및 모니터입니다. AIBT iStar 300 (iStar 300) 은 반도체 부품의 생산을 위해 도펀트의 정확한 제어 및 정확한 임플란테이션을 가능하게하는 고효율 도구입니다. 이 이온 임플란터 및 모니터는 입자 빔 전류의 조정, 빔 프로파일 모니터링, 빔 전류의 자동 최적화, 임플란트 깊이 조정, 표면 방출 조정 등 다양한 기능을 갖추고 있습니다. 고급 이온 빔 기술 (ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY) iStar 300은 재료와 응용 프로그램에 따라 여러 가지 이온 종을 생성 할 수있는 강력한 이온 소스를 가지고 있습니다. 이를 통해 붕소, 비소, 인 및 탈륨을 포함한 광범위한 착상이 가능합니다. 이자르 300 (IStar 300) 은 또한 빠른 전하 교환을위한 높은 흐름 속도와 임플란트 매개변수의 정확한 조정을 위한 압력 게이지를 갖춘 진공 펌프 (vacuum pump) 를 갖추고 있습니다. AIBT/ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY iStar 300은 사용자 친화적으로 설계되었으며, 이식 매개변수를 쉽게 설정하고 모니터링할 수 있도록 자동화된 레시피 장비를 갖추고 있습니다. AIBT iStar 300에는 그래픽 사용자 인터페이스가 제공되므로 빔 전류 (beam current), 전류 스프레드 (current spread), 빔 프로파일 (beam profile), 빔 수렴 (beam convergence) 및 빔 스펙트럼 순도 (beam spectral purity) 와 같은 매개변수를 쉽게 조정할 수 있습니다. 또한, 이 이온 임플란터 및 모니터를 사용하면 임플란트 깊이 및 서피스 방출 매개변수를 조정할 수 있습니다. ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY iStar 300에는 이온 에너지 분광기, 빔 특성화를위한 이미징 시스템, 전기 분광기, 이온 깊이 측정 장치 등 다양한 진단 도구가 장착되어 있습니다. 또한 자동 조종 장치 (autopilot machine) 를 사용하여 이온 빔 전류 (ion beam current) 및 빔 프로파일 (beam profile) 을 모니터링하여 임플란트 매개변수를 지속적으로 모니터링하고 제어할 수 있습니다. 전반적으로, iStar 300은 고급 이온 임플란트 (ion implant) 및 모니터로, 전자 부품 제조를 위해 도펀트 임플란트를위한 높은 수준의 정밀도, 정확도 및 성능을 제공합니다. 이 제품은 다양한 임플란트 유형 (implant type) 과 다양한 진단/모니터링 도구 (diagnostic/monitoring tools) 를 생성할 수 있는 강력한 이온 소스를 갖추고 있습니다. 그래픽 사용자 인터페이스를 통해 임플란테이션 매개변수를 쉽게 설정하고 조정할 수 있으며, 따라서 사용자는 AIBT/ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY iStar 300 이온 임플란터를 최대한 활용할 수 있습니다.
아직 리뷰가 없습니다