판매용 중고 OVAC OV29 #82531

OVAC OV29 (OVAC OV29) 는 고성능 IC 생산을 위해 반도체 업계에서 사용하도록 설계된 노출 장비입니다. 반도체 소자 제조에서 고정밀 공정 소재의 균일 한 층을 웨이퍼 (wafer) 에 배치하는 데 사용됩니다. OV29 (OV29) 는 균일 한 층 증착이 높은 증착율에서 발생하며, 유전체, 금속, 중합체 및 산화물을 포함한 다양한 물질에 대한 훌륭한 단계 범위가 있습니다. OVAC OV29는 통합 진공실, 이중 이온 소스 공정 챔버 및 가열 된 챔버로 구성됩니다. 통합 진공실은 증착 과정 전반에 걸쳐 높은 수준의 공정 제어 (process control) 및 우수한 진공 성능을 유지하는 데 도움이됩니다. 공정에서 사용되는 가스는 2 개의 공정 챔버 중 하나를 통해 소스 사이드 (side) 또는 기판 (substrate-side) 으로 펌핑 될 수 있습니다. 이 두 챔버 모두 높은 소스-기판 거리 기능을 갖추고 있으며, 우수한 단계 범위를 제공합니다. 또한, 시스템에 포함 된 가열된 챔버는 더 두꺼운 층과 밀도 높은 층 (예: 고-k 유전체) 의 증착에 적합하다. OV29는 향상된 시선방향 (Line of Sight) 기술을 사용하여 뛰어난 접착력과 균일성을 제공합니다. 이렇게 하면 "웨이퍼 '형상 에 관계 없이 기판 을 완전 히 적용 할 수 있으므로, 간격 이 없도록 할 수 있다. 또한 다중 프로세스 챔버 (multi-process chamber) 를 사용하여 동시에 여러 레이어를 정확하게 배치할 수 있습니다. 즉, 가장 복잡한 디바이스가 효율적이고 경제적인 방식으로 생산될 수 있습니다. OVAC OV29는 표준 및 결합 된 웨이퍼와 호환되며, 실리콘, 갈륨 비소, 유리 등 다양한 기질을 처리 할 수 있습니다. 또한, 기계의 균일 한 층 증착은 원자 현미경 (AFM) 과 같은 고급 도량형 (advanced metrology) 방법을 사용하여 각 프로세스 단계의 진행을 모니터링 할 수 있습니다. 이렇게 하면 실시간 피드백이 제공되며, 필요에 따라 프로세스 매개변수를 조정할 수 있습니다. OV29 는 가장 까다로운 애플리케이션을 위해 설계된 다재다능하고 안정적인 프로세스 솔루션입니다. 이 도구는 우수한 성능, 균일한 레이어 배치 (uniform layer deposition) 및 다중 프로세스 (multi-process) 기능과 결합하여 고성능 IC를 성공적으로 생산할 수 있는 이상적인 옵션입니다.