판매용 중고 ULVAC NE-950EX-V #9298684

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제조사
ULVAC
모델
NE-950EX-V
ID: 9298684
빈티지: 2015
CCP Etcher Capable of running: Single, 12" / Three, 6" Automated cassette to cassette handling (3) Wafers batch: 6" dia (7) Wafers batch: 4" dia (12) Wafers batch: 3" dia (29) Wafers batch: 2" dia Equipped ICP with magnetic field ULVAC P/N: 3188353 High density plasma source (2) ULVAC P/N: 3429391 Proprietary star electrodes Dry etching technology GaN, Sapphire, metal, ITO, SiC, AlN, ZnO (4) Elements compound semiconductor materials Option included 2015 vintage.
ULVAC NE-950EX-V는 반도체 장치 생산에서 에칭 및 애싱 프로세스에 사용되는 에처/애셔입니다. 이 etcher/asher 모델은 단일 머신에서 광범위한 에칭 및 애싱 처리 기능을 결합합니다. 450mm × 450mm의 기판 면적을 가진 NE-950EX-V는 최대 3 개의 유리 웨이퍼, 1 개의 금속 또는 유기 기질 또는 1 개의 석영 유리 처리 용량을 갖습니다. 병렬 에칭, 클립 에칭, 딥 에칭, 이온 밀링, 반응성 이온 에칭, 전자 빔 트리밍 및 웨이퍼 클리닝을 포함한 다양한 에칭 및 애싱 프로세스를 제공합니다. ULVAC NE-950EX-V에는 고해상도 에칭 현미경 장비가 장착되어 있으며, 각 기판의 명확한 관찰 및 정밀한 정렬을 위해 확산 된 광학 조명을 사용합니다. 현미경 시스템은 최대 100 배까지 확대하고, 웨이퍼를 ± 10 미크론의 내성으로 정확하게 처리 할 수 있습니다. 또한 자체 교체 가능한 O- 링 (O-ring) 물개로 에칭을 수행 할 수 있으며, 다양한 가스로 드라이 에칭을 가능하게합니다. NE-950EX-V는 전자밀도가 최대 3 x 10 ¹ cm '¹ 인 내장 ECR (전자 사이클로트론 공명) 소스를 특징으로하며, 총 단위 압력 5 Pa 이하에서 에칭 및 트리밍을위한 고밀도 플라즈마를 생성 할 수 있습니다. 이 초저압은 에칭 균일성을 향상시키고 웨이퍼 표면에서 출발률을 줄입니다. ECR 소스는 또한 내장형 디지털 컨트롤러를 갖추고 있으며, 이는 전자 사이클로트론 주파수 (cyclotron frequency), 현재 모드 (current mode) 및 자동 위상 동기화 (automatic phase synchronizing) 를 제어하여 모든 기판에서 최적의 에칭과 트리밍을 보장합니다. ULVAC NE-950EX-V에는 뛰어난 클리닝 성능을 위해 초고주파 플라즈마를 제공 할 수있는 독특한 2 차 플라즈마 램프도 포함되어 있습니다. 플라즈마 램프는 최대 500MHz 주파수에서 실행되므로 빠르고 일관된 웨이퍼 청소가 가능합니다. 여기에는 5 단계 가스 제어 기계 (gas control machine) 를 사용하여 예방 유지 보수를위한 외부 챔버가 포함되어 있으며, 이 과정에서 사용되는 모든 가스를 정확하게 제어 할 수 있습니다. NE-950EX-V는 반도체 생산을위한 안전 및 환경 측정도 지원합니다. 여기에는 후드 (Hoods) 및 기타 보안 장치 (Security Device) 가 포함되어 기계 주변의 냄새 및 소음 위험을 줄이고 대기 오염을 최소화하기 위해 적절한 설계 된 배기 시스템이 포함됩니다. 결론적으로, ULVAC NE-950EX-V는 신뢰할 수 있고 고급 etcher/asher로, 다양한 반도체 장치에 뛰어난 에칭 및 애싱 성능을 제공 할 수 있습니다. 고해상도 에칭 현미경 (etching microscope) 도구, ECR 소스, 초고주파 플라즈마 램프를 통해 반도체 생산의 품질과 신뢰성 기준을 마련했다.
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