판매용 중고 TEL / TOKYO ELECTRON Trias #9094190
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ID: 9094190
웨이퍼 크기: 12"
빈티지: 2005
CVD System, 12"
(3) TDK TAs3000 FOUP loaders
SPA-N components
Chamber parts:
Manufacturer Model Description
TEL - Slot antenna
TEL - Susceptor heater
TEL - Quartz liner
TEL - Susceptor cover
TEL - Baffle cover
MKS 626B01TBE Capacitance manometer (133Pa)
MKS 626B11TBE Capacitance manometer (133Pa)
MKS 623B-28316 Capacitance manometer (133kPa)
V TEX IRF-07084-2-01 Gate valve
Vacuum system:
Manufacturer Model Description
EDWARDS STP-A1603B Turbo molecular pump
Fuji Imvac HV-40N-R Throttle valve on a high pressure line
VAT 65046-PH52-AHS1 Throttle valve on a low pressure line
SMC XLA-40G-M9 Hi-vac valve on a high pressure line
SMC XLA-63A-M9 Hi-vac valve on a low pressure line
Exhaust system:
Manufacturer Model Description
Tokyo Flow Meter FF-MRA85-1-TYL1 Flow meter for cooling water
FF-MRA80-1-TYL1
Toyokokagaku RS-2000CA / RS-2000F-6417 Water leak sensor
SMC INR-497-100-X048 Chiller
Others:
Manufacturer Model Description
Nihon Koushuha MKN-502-3S2B03-OSC H-Wave power supply unit
Nihon Koushuha AMC-95Q1-CONT5 Auto matching unit
2005 vintage.
TEL/TOKYO ELECTRON Trias는 반도체 장치 생산 및 연구 개발 용으로 설계된 플라즈마 에처/애셔입니다. TEL Trias etcher는 다중 총 열 PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) 소스를 특징으로하여 여러 층의 재료에 대한 고속, 고도로 상세한 에칭을 가능하게합니다. 또한 플라즈마 밀도를 제어하기 위해 특허를받은 ANB (Applied Negative Bias) 기술이 있으며, 모든 기판 재료에서 균일 한 에칭 깊이를 가능하게합니다. 자동화된 프로세스 제어 (process control) 및 프로그래밍 가능한 매개변수 (parameter) 를 사용하여 저렴한 비용으로 최대 수율로 작동할 수 있습니다. TOKYO ELECTRON Trias etcher의 기판 온도는 정확한 에칭을 위해 최대 370C까지 프로그래밍 할 수 있습니다. 이 공정은 저압 하에서 작동하며, 에칭 공정은 전류 제어 바이어스 파워 (current-controlled bias power) 를 사용하여 진공 챔버에서 수행됩니다. Trias etcher는 높은 정확도 에칭을 생성 할 수 있으며, 높은 공정 반복 성과 작은 공정 오류를 가지고 있습니다. 또한 폴리실리콘, SiO2 및 III-V 재료를 포함한 재료를 정밀하게 에치 할 수 있습니다. TEL/TOKYO ELECTRON Trias etcher는 사파이어 서셉터, 플루오로 카본 퍼지 가스 및 소스 온도 모니터를 포함하는 오염 방지 측정을 갖습니다. 에처 (etcher) 는 입자 오염을 최소화하도록 설계되었으며, 추가 청결을 위해 고급 저입자 여과 시스템을 갖는다. 높은 처리량, 손쉬운 작동, 정교한 플라즈마 제어 기능을 갖춘 TEL Trias는 모든 반도체 장치 생산 또는 연구/개발 프로세스의 최상위 계층입니다.
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